层积型半导体装置用载体以及层积型半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种层积型半导体装置用载体，具备：　　　　下段载体，具有容纳第１半导体装置的第１容纳部；及　　　　上段载体，具有第２容纳部，该第２容纳部容纳层积于所述第１半导体装置上的第２半导体装置，并将所述第２半导体装置配置于所述第１半导体装置上的预定位置。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术关于层积复数个封装而成为1个封装之层积型半导体装置用载体以及该层积型半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来，如行动电话的可携式电子机器以及如IC记忆卡的非挥发性记忆媒体等已更为小型化，因此要求这些机器及媒体的零件数减少以及零件小型化。 因此，对于可将构成这些机器的零件中的主要零件的半导体组件加以有效率地封装的技术的开发乃为人所期盼。关于满足如此需求的封装的一种，为人所知者有将复数个封装，例如将内存用封装及逻辑用封装加以层积而成为1个封装的层积型封装。关于层积型封装的制造方法，例如有专利文献1至3所揭示者。 专利文献1日本国特许公开公报日本特开平8-236694号公报专利文献2日本国特许公开公报第2003-218273号公报专利文献3日本国特许公开公报日本特开平6-13541号公报
技术实现思路
专利技术所欲解决的课题 然而，于层积型半导体装置的制造时，必须准备用以层积封装的专用装载装置。因此须进行设备投资，而成为阻碍半导体装置制造低成本化的原因。尤其是于生产量相对较少时，就成本面而言具有负担极大的问题。于所述专利文献1至3中，亦未揭示可降低制造成本的有效技术。 此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种层积型半导体装置用载体，具备下段载体，具有容纳第1半导体装置的第1容纳部；及上段载体，具有第2容纳部，该第2容纳部容纳层积于所述第1半导体装置上的第2半导体装置，并将所述第2半导体装置配置于所述第1半导体装置上的预定位置。2.如权利要求1所述的层积型半导体装置用载体，具有用以在容纳于所述下段载体的所述第1半导体装置与试验用接脚之间进行电性连接的开口部。3.如权利要求1或2所述的层积型半导体装置用载体，其中，所述下段载体及所述上段载体各自具有卡合部，所述卡合部互相卡合，以将所述下段载体及所述上段载体进行装设并实现可拆卸。4.如权利要求3所述的层积型半导体装置用载体，其中，所述上段载体的所述第2容纳部具有容纳于所述上段载体内的所述第2半导体装置所插通的插入口；该插入口的宽度随着朝向该上端而逐渐增加。5.如权利要求1至4中任一项所述的层积型半导体装置用载体，其中，所述下段载体具有由弹性材料所制成的保持构件，该保持构件将所述第1半导体装置保持于所述第1容纳部内。6.如权利要求5所述的层积型半导体装置用载体，其中，所述保持构件通过侧边缘将容纳于所述第1容纳部的所述第1半导体装置加以保持。7.如权利要求1至6中任一项所述的层积型半导体装置用载体，其中，所述上段载体及所述下段载体包含以下的其中之一铝、铜或镍成分的金属；陶...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野寺正德，河西纯一，目黑弘一，田中淳二，新间康弘，田谷耕治，
申请(专利权)人：斯班逊有限公司，斯班逊有限公司，
类型：发明
国别省市：