包含集成电路的电子器件制造技术

电子器件（ＩＣＤ）包括：将该电子器件耦合至信号地线的信号地线接触件（ＬＤ１）、管芯衬垫和集成电路。管芯衬垫（ＤＰＤ）具有突起（ＰＴＲ３），该突起电耦合至信号地线接触件。该集成电路（ＰＣＨ）具有面向并电耦合于该管芯衬垫的突起的接触垫（ＧＰ２）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一方面涉及一种包括一集成电路的电子器件，该电子器件例如可以构成高频信号处理器。本专利技术的其他方面涉及一种制造这种电子器件的方法和包括这种电子器件的信号处理设备。
技术介绍
电子器件可具有如下结构。集成电路被安装在一具有外围部分和内部部分的基底上，该外围部分包括用于将该电子器件耦合到其它电子器件的多个接触件。这些接触件中的至少一个为信号地线接触件。该集成电路的接触垫电耦合至该底板外围部分的接触件。集成电路本身位于基底的内部部分。该集成电路可以构成多个电子部件叠置体的一部分，该叠置体可包括电耦合至集成电路的去耦电容器，且该叠置体可安装在基底的内部部分上。美国专利6227260描述了一种集成电路器件，其包括和半导体芯片及平面连接元件共平面的平面去耦电容器，该平面连接元件具有多个连接指针(bond finger)、同中心的电源与接地环。该半导体芯片位于同中心的电源与接地环内，且该平面去耦电容器被定位于靠近该平面半导体芯片。连接线将平面半导体芯片电耦合至平面去耦电容器。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，电子器件包括具有突起的管芯衬垫，其管芯衬垫被耦合至外部的地线。位于第一芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件（ＩＣＤ）包括：　　　　管芯衬垫（ＤＰＤ），其具有突起（ＰＴＲ３）并被耦合至外部地线；　　　　第一芯片（ＰＣＨ），其在第一侧具有接触垫（ＧＰ２），该接触垫面向并电耦合至管芯衬垫（ＤＰＤ）上的突起（ＰＴＲ３）；　　　　第二芯片（ＡＣＨ），具有第一侧和相对的第二侧，在其第一侧上具有接触垫，该接触垫面向并电耦合至第一芯片的第一侧上的接触垫，在其第二侧上第二侧面向管芯衬垫。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2004-7-13 04300442.31.一种电子器件(ICD)包括管芯衬垫(DPD)，其具有突起(PTR3)并被耦合至外部地线；第一芯片(PCH)，其在第一侧具有接触垫(GP2)，该接触垫面向并电耦合至管芯衬垫(DPD)上的突起(PTR3)；第二芯片(ACH)，具有第一侧和相对的第二侧，在其第一侧上具有接触垫，该接触垫面向并电耦合至第一芯片的第一侧上的接触垫，在其第二侧上第二侧面向管芯衬垫。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中管芯衬垫电耦合至第二芯片的第二侧。3.根据权利要求1所述的电子器件，其中管芯衬垫(DPD)上的突起(PTR3)被形成为至少部分围绕第二芯片(ACH)的壁。4.根据权利要求1所述的电子器件，其中第一芯片(PCH)具有耦合至外部板的端子，所述端子位...

【专利技术属性】
技术研发人员：JCG西克斯，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]