【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用来形成高质量均匀薄膜(例如在半导体如硅晶片用的基底材料的表面上的二氧化硅或氮化硅(Si3N4等))的化学气相沉积(CVD)设备。更具体地说，本专利技术涉及能够在形成薄膜过程之后进行清洗以除去附着在反应室等内壁上的副产物的CVD设备，也涉及清洗CVD设备的方法。
技术介绍
通常，薄膜如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4等)广泛用于半导体元件中如薄膜晶体管、光电转换元件等。现在主要使用下述三种形成薄膜的方法。(1)物理气相成膜技术如溅射或真空沉积更具体地说，所述技术包括使用物理方法将固体薄膜材料转变成原子或自由基团，然后将所述原子或自由基团沉积在成形薄膜的表面上，从而形成薄膜；(2)热CVD技术更具体地说，所述技术包括将所述气相薄膜材料加热到较高的温度，以引发化学反应，然后形成薄膜；以及(3)等离子体CVD技术更具体地说，所述技术包括将气相薄膜材料转变成等离子体，以引发化学反应，然后形成薄膜。具体地说，通常使用(3)中所述的等离子体CVD技术(等离子体增强的化学气相沉积)，因为它可有效形成很薄且均匀的薄膜。用于等离子CVD技术的等离子体C...
【技术保护点】
一种具有清洗机构的ＣＶＤ设备，所述ＣＶＤ设备用于将反应气体输送到反应室中，然后在反应室中的基底材料的表面上形成沉积薄膜，所述ＣＶＤ设备包括氟气生成装置，它包括： 能量施加装置，它将能量施加给氟化合物使之发生反应，生成氟气组分和除了氟气组分之外的组分；以及 氟气浓缩／分离精炼装置，它能分离由能量施加装置产生的氟气组分和除了氟气组分之外的组分，从而分离精炼出所述氟气组分， 在使用ＣＶＤ设备对所述基底材料进行成膜处理后，将由所述氟气生成装置分离精炼的氟气转变成等离子体，用以除去附着在所述反应室中的副产物。
【技术特征摘要】
JP 2002-7-1 192311/20021.一种具有清洗机构的CVD设备，所述CVD设备用于将反应气体输送到反应室中，然后在反应室中的基底材料的表面上形成沉积薄膜，所述CVD设备包括氟气生成装置，它包括能量施加装置，它将能量施加给氟化合物使之发生反应，生成氟气组分和除了氟气组分之外的组分；以及氟气浓缩/分离精炼装置，它能分离由能量施加装置产生的氟气组分和除了氟气组分之外的组分，从而分离精炼出所述氟气组分，在使用CVD设备对所述基底材料进行成膜处理后，将由所述氟气生成装置分离精炼的氟气转变成等离子体，用以除去附着在所述反应室中的副产物。2.如权利要求1所述的具有清洗机构的CVD设备，其特征在于所述能量施加装置能加热所述氟化合物，使所述氟化合物反应生成氟气组分和除了氟气组分之外的组分。3.如权利要求1所述的具有清洗机构的CVD设备，其特征在于所述能量施加装置能将等离子体施加给所述氟化合物，从而使所述氟化合物反应生成氟气组分和除了氟气组分之外的组分。4.如权利要求1所述的具有清洗机构的CVD设备，其特征在于所述能量施加装置能用催化剂使所述氟化合物反应，从而生成氟气组分和除了氟气组分之外的组分。5.如权利要求1-4中任一项所述的具有清洗机构的CVD设备，其特征在于所述氟气浓缩/分离精炼装置能利用沸点差通过冷却从除了氟气组分之外的组分中分离出氟气。6.如权利要求1-5中任一项所述的具有清洗机构的CVD设备，其特征在于所述氟化合物含氮。7.如权利要求1-5中任一项所述的具有清洗机构的CVD设备，其特征在于所述氟化合物含氯。8.如权利要求1-5中任一项所述的具有清洗机构的CVD设备，其特征在于所述氟化合物含碘。9.如权利要求1-5中任一项所述的具有清洗机构...
【专利技术属性】
技术研发人员：别府达郎，坂井克夫，大仓诚司，坂村正二，安部薰，村田等，和仁悦夫，龟田贤治，三井有规，大平丰，米村泰辅，関屋章，
申请(专利权)人：日商佳能安内华股份有限公司，株式会社爱发科，关东电化工业株式会社，索尼株式会社，大金工业株式会社，东京毅力科创株式会社，株式会社东芝，株式会社日立国际电气，独立行政法人产业技术总合研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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