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本发明的目的是提供一种ＣＶＤ设备中的清洗方法，它能够有效地除去副产物如ＳｉＯ↓［２］或Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］，所述副产物在成膜步骤中附着并沉积在反应室内壁、电极等的表面上。此外，本发明的目的是提供一种清洗方法，其中排放的清洗气的量非常小，对...该专利属于日商佳能安内华股份有限公司;株式会社爱发科;关东电化工业株式会社;索尼株式会社;大金工业株式会社;东京毅力科创株式会社;株式会社东芝;株式会社日立国际电气;独立行政法人产业技术总合研究所所有，仅供学习研究参考，未经过日商佳能安内华股份有限公司;株式会社爱发科;关东电化工业株式会社;索尼株式会社;大金工业株式会社;东京毅力科创株式会社;株式会社东芝;株式会社日立国际电气;独立行政法人产业技术总合研究所授权不得商用。