设有电容的半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

通常，在被层间绝缘膜１０、成为电容上部电极的一部分的导电性膜（１１）与电容介质膜（１２）支撑的状态下，对用以构成电容下部电极的导电性膜（１３）进行处理。因此，在半导体装置的制造工序中，不使成为电容下部电极的导电性膜（１３）完全露出。结果，防止了成为电容下部电极的导电性膜１３被弯折的不良情况的发生。从而得到可提高半导体装置的成品率的半导体装置的制造方法与用该制造方法制造的半导体装置。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
一直以来，使用在半导体衬底的上方设有相对于半导体衬底的主表面垂直的方向延伸地形成的圆筒形或方筒形的电容的半导体装置。在形成所述电容的工序中，使在层间绝缘膜的上侧形成的电容下部电极成为一时完全露出的状态。在电容下部电极完全露出的状态下，沿着所述圆筒形的表面或方筒形的表面形成电容介质膜。依据所述半导体装置的制造方法，以电容下部电极的周围无支撑电容下部电极的构件的状态，在电容下部电极的表面上形成电容介质膜。就是说，在结构上电容下部电极处于非常不稳定的状态下，在电容下部电极上形成电容介质膜。尽管采用这样的制造方法，由于在传统的半导体装置中电容下部电极的纵横比(aspect ratio)小，因此不存在任何问题。但是，近年为了增加电容的容量，要求增大电容下部电极的纵横比。在这种电容的电容介质膜的形成过程中，电容下部电极因其机械强度的不足导致弯折。结果，会降低半导体装置的成品率。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述问题，旨在提供能为增加容量而增大电容下部电极的纵横比的半导体装置及其制造方法。本专利技术的另一目的在于提供在制造工序中防止电容下部电极弯折，从而提高成品率的半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其中设有：在半导体衬底的上方形成的圆筒形或方筒形的电容下部电极；　沿着该电容下部电极的整个外表面设置的第一电容介质膜；覆盖所述第一电容介质膜的整个外表面而形成的第一电容上部电极；沿着所述电容下 部电极形成的孔的表面、并覆盖所述电容下部电极的上面、所述第一电容介质膜与所述第一电容上部电极的上面而形成的第二电容介质膜；填入所述第二电容介质膜形成的孔内并沿着所述第二电容介质膜的上面而形成的第二电容上部电极；以及相对于所述 半导体衬底的主表面垂直的方向延伸而形成的、连接所述第一电容上部电极和所述...

【技术特征摘要】
JP 2003-6-5 161143/031.一种半导体装置，其中设有在半导体衬底的上方形成的圆筒形或方筒形的电容下部电极；沿着该电容下部电极的整个外表面设置的第一电容介质膜；覆盖所述第一电容介质膜的整个外表面而形成的第一电容上部电极；沿着所述电容下部电极形成的孔的表面、并覆盖所述电容下部电极的上面、所述第一电容介质膜与所述第一电容上部电极的上面而形成的第二电容介质膜；填入所述第二电容介质膜形成的孔内并沿着所述第二电容介质膜的上面而形成的第二电容上部电极；以及相对于所述半导体衬底的主表面垂直的方向延伸而形成的、连接所述第一电容上部电极和所述第二电容上部电极的塞。2.一种半导体装置，其中设有在半导体衬底的上方相对于该半导体衬底的主表面垂直的方向延伸而形成的圆柱形或棱柱形的电容下部电极；覆盖该电容下部电极的整个外表面而形成的第一电容介质膜；覆盖所述第一电容介质膜的整个外表面而形成的第一电容上部电极；覆盖所述电容下部电极、所述第一电容介质膜与所述第一电容上部电极的上面而形成的第二电容介质膜；覆盖所述第二电容介质膜的上面而形成的第二电容上部电极；以及相对于所述半导体衬底的主表面垂直的方向延伸而形成的、连接所述第一电容上部电极和所述第二电容上部电极的塞。3.一种半导体装置的制造方法，包括如下的工序在半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：横井直树，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]