半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明专利技术，叠层型电容器包括一下电极、一形成在下电极上的介电层以及一形成在介电层上的上电极。下电极包括一圆柱形第一金属层和一填充在第一金属层内的第二金属层。在该电容器中，下电极中含氧量降低，抑制了对ＴｉＮ的氧化。因而，可形成稳定的叠层型电容器，其可极大地改善高集成度ＤＲＡＭ的性能。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种叠层型电容器(stack-type capacitor)、带有该叠层型电容器的半导体存储器件、以及制造该电容器和半导体存储器件的方法，在该叠层型电容器中，下电极由两个不同的金属层形成。
技术介绍
随着存储单元的占用面积在不断地缩小，单元电容也降低。在提高动态随机存取存储器(DRAM)的集成度中，该单元电容的降低通常是一个很严重的障碍。在存储器件中，该单元电容的减小不但降低对存储单元进行读取的性能、增大软错误率，而且会影响器件在低电压下的工作。因而，为了制造高集成度的半导体存储器件，应当找出提高单元电容的方法。同时，为增大单元电容，使用圆柱形电极(cylindrical electrode)来加大电极的面积。图1是一种传统圆柱形电容器(cylindrical capacitor)的示意性剖视图。参见图1，沉积层间电介质(ILD)11和蚀刻停止层12，并对它们构图，以致于形成接触孔11a。用导电插塞13将接触孔11a填充。在导电插塞13的上方形成圆柱形的下电极14，并在下电极14上依次沉积介电层15和上电极16。圆柱形电容器的电极具有加大的面积，且圆柱形电容器具有提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层型电容器，包括：一下电极；一介电层，其形成在该下电极上；以及一上电极，其形成在该介电层上，其中，该下电极包括：一圆柱形的第一金属层；以及填充在该第一金属层内的一第二金属层。

【技术特征摘要】
KR 2003-5-21 32255/031.一种叠层型电容器，包括一下电极；一介电层，其形成在该下电极上；以及一上电极，其形成在该介电层上，其中，该下电极包括一圆柱形的第一金属层；以及填充在该第一金属层内的一第二金属层。2.根据权利要求1所述的电容器，其中该第一金属层是钌层，该第二金属层是具有铝的氮化物层。3.根据权利要求2所述的电容器，其中具有铝的该氮化物层是氮化铝钛层或氮化铝钽层。4.根据权利要求2所述的电容器，其中所述上电极是一钌层。5.一种半导体存储器件，其包括叠层型电容器，该半导体存储器件包括一晶体管和一电容器，其中，该电容器包括一下电极；一介电层，其形成在该下电极上；以及一上电极，其形成在该介电层上，其中该下电极包括一圆柱形的第一金属层；以及填充在该第一金属层内的一第二金属层。6.根据权利要求5所述的器件，其中该晶体管通过一导电插塞与该电容器电连接。7.根据权利要求6所述的器件，其中在该下电极与该导电插塞之间形成有一扩散阻挡层。8.根据权利要求7所述的器件，其中所述扩散阻挡层是氮化钛层。9.根据权利要求5所述的器件，其中该第一金属层是钌层，该第二金属层是具有铝的氮化物层。10.根据权利要求9所述的器件，其中具有铝的该氮化物层是氮化铝钛层或氮化铝钽层。11.根据权利要求9所述的器件，其中所述上电极是一钌层。12.一种制造叠层型电容器的方法，该方法包括(a)在一基底上依次叠置一蚀刻终止层和一层间电介质，并通过构图该层间电介质和该蚀刻终止层来形成一通孔；(b)在该通孔和该层间电介质上依次形成一第一金属层和一第二金属层；(c)露出该层间电介质；(d)通过去除该层间电介质，形成由该第一金属层和该第二金属层构成的下电极；以及(e)在该下电极上依次沉积一介电层和一上电极，其中，该第一金属层通过原子层沉积形成。13.根据权利要求12所述的方法，其中该第一金属层由钌形成，该第二金属层由氮化铝钛或氮化铝钽制成。14.根据权利要求13所述的方法，其中该上电极由钌制成。15.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正贤，白贤锡，金纯澔，崔在荣，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]