半导体存储器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括置于一晶体管与一数据存储部分之间的一加热部分以及与该数据存储部分相连接的一金属互连层。数据存储部分包括一硫属化物材料层，该材料层经历因加热部分的加热导致的相变，以将数据存储到其中。该加热材料层被设置在硫属化物材料层的下方，且利用等离子氧化工艺对该加热材料层的顶面执行氧化，以提高电阻值。因而，利用很小的电流就能向硫属化物材料层输送其所必需的热量，从而可进一步降低该半导体存储器件所消耗的电流。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更具体而言，本专利技术涉及这样一种，该半导体存储器件包括用于加热相变材料制成的贮存/存储节点(storage/memory node)的改进的加热单元。
技术介绍
奥弗辛斯基效应统一存储器(ovonic unified memory)(OUM)利用相变材料作为其数据存储部分，而并非普通动态随机存取存储器(DRAM)中的电容器。OUM是这样一种存储器件其基于电阻随硫属化物(chalcogenide)材料的相变而改变的原理来写入/再现信息。硫属化物材料已经被应用到可重写CD、DVD等中。当硫属化物材料从晶态转变为非晶态时，该硫属化物材料的电阻大约增大100倍。硫属化物材料经历作为加热温度和冷却时间的函数的相变。因此，当硫属化物材料处于晶态时，其电阻低，从而用作导电材料。但是，当硫属化物材料处于非晶态时，其具有高电阻，从而作为电阻材料。图1是一示意性剖视图，示出美国专利第6,294,452号公开的OUM。参见图1，在基底100上形成一下电极102，以具有一尖端部分114。在下电极102的尖端部分114上沉积硫属化物材料层128和上电极122。在硫属化物材料层128与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，其包括一晶体管和一数据存储部分，该半导体存储器件包括：一加热部分，其被置于该晶体管与该数据存储部分之间；以及　一金属互连层，其与该数据存储部分相连接，　其中，该数据存储部分包括一硫属化物材料层，该 硫属化物材料层由于该加热部分的加热而发生相变，从而在其中存储数据。

【技术特征摘要】
KR 2003-5-23 32882/031.一种半导体存储器件，其包括一晶体管和一数据存储部分，该半导体存储器件包括一加热部分，其被置于该晶体管与该数据存储部分之间；以及一金属互连层，其与该数据存储部分相连接，其中，该数据存储部分包括一硫属化物材料层，该硫属化物材料层由于该加热部分的加热而发生相变，从而在其中存储数据。2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中该加热部分包括一通孔，其暴露部分该晶体管；一隔离壁，其形成在该通孔的内壁上；以及一加热材料层，其填充该隔离壁。3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中该隔离壁的下部大于其上部。4.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中该加热材料层由TiAlN制成。5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中该加热部分通过一导电插塞与该晶体管相连接。6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中该导电插塞由钨制成。7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中该加热部分包括一通孔，其将该导电插塞外露；一隔离壁，其形成在该通孔的内壁上；以及一加热材料层，其填充该隔离壁。8.根据权利要求7所述的半导体存储器件，其中该加热材料层由TiAlN制成。9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中该加热部分的顶面得以氧化。10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括一TiAlN薄膜，其被置于该数据存储部分和该金属互连层之间，其中该TiAlN薄膜的顶面得以氧化。11.一种制造半导体存储器件的方法，包括(a)在一基底上形成一晶体管；(b)在该基底上形成一第一层间绝缘层，从而覆盖该晶体管；(c)在该第一层间绝缘层中形成一接触孔，暴露出该晶体管的预定区域；(d)在该接触孔中形成导电插塞；(e)在该第一层间绝缘层上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正贤，朴永洙，李沅泰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]