半导体器件制造技术

本发明专利技术的半导体器件包括半导体衬底和形成在半导体衬底上且能够在预定电流流经时断开的导电元件，其中导电元件转向多次。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，更为具体地，涉及含有熔丝的半导体器件。
技术介绍
当半导体器件含有熔丝时，能够通过断开一些熔丝来调节电阻值，或能够通过断开一个连接于有缺陷的元件的熔丝来将有缺陷的元件替换为功能元件。将有缺陷的元件替换为功能元件的这种方法应用于具有冗余的半导体器件。常规地，通常由激光辐射来断开熔丝。然而，在由激光辐射断开熔丝中存在一些问题。首先，为了避免当断开熔丝时对除熔丝之外的元件造成损害，将熔丝中要被断开的部分放置成以预定间隔远离元件。因此，增加了半导体器件的尺寸。另外，为了形成由激光辐射断开的熔丝，需要额外的光刻工艺。通常，绝缘层形成在熔丝上。因此，需要附加步骤来调节绝缘层的厚度以在用于激光辐射的熔丝上形成开口。另外，当检验含有熔丝的半导体器件时，需要下述三个步骤。首先，检验器件的电特性，然后断开熔丝，且最后，再次检验电特性。因此增加了半导体器件的制造工艺且使半导体器件的制造成本更大。为了解决由激光辐射带来的问题，已经试图通过电流来断开熔丝。例如，日本专利申请No.2002-197884公开了一种通过电流断开的熔丝。在该申请中，熔丝部分制作得很窄，或熔丝包含角形部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底；和形成在所述衬底上且能够当预定电流流经时断开的导电元件，其中所述导电元件转向多次。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-26 183369/2003;JP 2004-6-7 168131/20041.一种半导体器件，包括半导体衬底；和形成在所述衬底上且能够当预定电流流经时断开的导电元件，其中所述导电元件转向多次。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电元件包括在第一方向上延伸的一个第一路线性部分、在基本上相反于所述第一方向的第二方向上延伸的另一路线性部分、以及在所述第一方向上延伸的一个第二路线性部分，所述一个第一路线性部分、所述另一路线性部分以及所述一个第二路线性部分设置成彼此平行且彼此电连接。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电元件包括在第一方向上延伸的一个第一路线性部分、在基本上相反于所述第一方向的第二方向上延伸的另一路线性部分、在所述第一方向上延伸的一个第二路线性部分、连接所述一个第一路线性部分的一边与所述另一路线性部分的一边的第一连接部分、以及连接所述另一路线性部分的另一边与所述一个第二路线性部分的一边的第二连接部分，所述一个第一路线性部分、所述另一路线性部分、所述一个第二路线性部分、所述第一连接部分以及所述第二连接部分彼此电连接。4.如权利要求1的半导体器件，其中所述导电元件包括多个设置成彼此平行且各自在第一方向延伸的第一线性部分、和多个设置成彼此平行且各自在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的第二线性部分，如此放置所述多个第一线性部分和所述多个第二线性部分以便于所述多个第一线性部分的至少一个或所述多个第二线性部分的至少一个在四个侧面由所述多个第一线性部分和所述多个第二线性部分的剩余部分包围。5.如权利要求4所述的半导体器件，其中如此放置所述多个第一线性部分和所述多个第二线性部分，以便于当电流从所述导电元件的一边流向所述导电元件的另一边时，在彼此相邻的所述第一线性部分中电流分别流向不同的方向，且在彼此相邻的所述第二线性部分中电流分别流向不同的方向。6.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述导电元件包括多个设置成彼此平行且各自在第一方向延伸的第一线性部分、多个设置成彼此平行且各自在不同于所述第一方向的第二方向上延伸的第二线性部分、电流输入端、以及电连接于所述电流输入端的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：上田岳洋，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]