【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体制造方法，特别地涉及一种接触孔的制造方法以及一种半导体元件的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的进步，元件的尺寸也不断地缩小，进入深亚微米的领域中。当集成电路的集成度增加时，使得晶片的表面无法提供足够的面积来制作所需的互连线(Interconnect)，因此为了配合元件缩小后所增加的互连线需求，两层以上的多层金属互连线的设计，便成为超大型集成电路(VLSI)技术所必须采用的方式。此外，不同金属层之间若要导通，则必须在两金属层之间的绝缘层挖一开口并填入导电材料，以形成导通两金属层的插塞结构。为了克服愈来愈小的线宽以及防止接触孔发生未对准(Misalignment)，通常许多半导体元件会采用自对准接触孔的设计。特别是在存储元件中，将衬底中的掺杂区与形成在衬底上方的位线电连接的方式，通常都是使用自对准接触孔的设计。图1A至图1F，所示的是公知的一种存储元件中接触孔的制造流程的剖面图。请参照图1A，提供衬底100，衬底100上已形成有具有顶盖层110的栅极结构112，且每一栅极结构112包括栅极介电层104、多晶硅层106以及金属硅化物层10...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶芳裕，陈俊哲，
申请(专利权)人：茂德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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