半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种具有新颖结构的导电路径的半导体装置以及制造该半导体装置的方法，其中导电路径由有机半导体分子材料形成并显示出高的迁移率。由导体，如Ａｕ，或半导体组成的微粒（８）和有机半导体分子（９）如４，４′－联苯二硫酚通过在该有机半导体分子（９）两端上的官能团交替键合，形成网状的导电路径，其中在微粒（８）内的导电路径和在有机半导体分子（９）内的导电路径二维或三维地键合在一起。这种导电路径不包括分子间的电子迁移，迁移率不受分子间的电子迁移限制，因此，可最大利用沿有机半导体分子主链内的导电路径的迁移率（在该分子的轴向上），例如离域π电子所致的高的分子内的迁移率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置和制造该半导体装置的方法，其中该半导体装置包括由导体或半导体组成的微粒和有机半导体分子形成的导电路径。
技术介绍
在电子电路中，特别地在显示器等中使用的有源矩阵电路中，薄膜晶体管(此后简称为“TFT”)被广泛用作开关元件。目前，大多数TFT是Si无机半导体晶体管，其在半导体层(沟道层)内使用无定形(α-Si)或多晶硅(Poly-Si)。在这些晶体管的制造中，在半导体层的形成中使用等离子化学汽相沉积(此后简称为“CVD”)等，因此工艺成本高。另外，要求在高至约350℃的温度下进行热处理，因此不仅增加工艺成本，而且使基质受到局限。近年来，大力开发使用有机半导体材料的有机半导体晶体管，这是因为可通过低成本的工艺制造这种晶体管，并且有可能在耐热性低的挠性基质(flexible substrate)如塑料上沉积膜。有机半导体材料能以较低的成本在较低温度下，例如通过旋涂或浸涂有利地制备TFT。然而，它们仅仅可实现10-3-1cm2/Vs的典型迁移率，其中迁移率是TFT性能的指数(C.D.Dimitrakopoulos等，Adv.Mater.(2002)，14，99)。与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：由包括导体或半导体的微粒和键合到所述微粒上的有机半导体分子形成的导电路径，其中所述导电路径的导电率通过电场控制。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：和田胜，近藤真一郎，安田亮一，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]