等臂裂片装置及裂片方法制造方法及图纸

一种等臂裂片装置，适用于对一试片进行直线裂片，包括：　　　　一底座，具有一中心线；　　　　一第一支撑组件，设置于该底座之上；　　　　一第二支撑组件，设置于该底座之上，该第一支撑组件以及该第二支撑组件分别等距离地位于该中心线的二侧上；　　　　一第一夹持组件，设置于该底座之上，并且被该第一支撑组件所支撑；　　　　一第二夹持组件，设置于该底座之上，并且被该第二支撑组件所支撑，该第一夹持组件以及该第二夹持组件分别等距离地位于该中心线的二侧上，该试片被该第一夹持组件以及该第二夹持组件所夹持；　　　　一滑动平台，滑动地设置于该底座之上，并且具有一第一指状部以及一第二指状部，该第一指状部以及该第二指状部分别对应于该第一夹持组件以及该第二夹持组件，并且分别等距离地位于该中心线的二侧上，该第一指状部与该第二指状部之间的距离小于该第一支撑组件与该第二支撑组件之间的距离。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等臂裂片装置，特别是涉及一种利用相等且增长的力臂来使试片产生直线断裂的等臂裂片装置。
技术介绍
一般来说，在各种半导体组件的制作过程中，常因空气中的悬浮微粒、设备机台的机械老化、故障或是人为操作不当，而在半导体组件上形成制作工艺缺陷。为了提高产品合格率、有效控制生产成本，通常会对缺陷部分进行断面分析，以找出问题所在。图1A显示一欲进行断面结构分析的试片的立体示意图，如图1A所示，为了要在显微镜上能清楚地观察到缺陷附近的断面结构，分析其形成缺陷的问题所在，一般是将晶片或是玻璃基板裁切成一长方形试片10，以试片10形成缺陷P的那一面作为切割面11，在其上以形成两道与缺陷P位于同一直线的切割道111a及111b，其中切割道111a及111b是与试片10的长边垂直，且两切割道111a及111b至缺陷P还有数十μm距离，以免破坏缺陷P附近的结构。以下先大致说明在试片10上形成切割道111a以及111b的方法。请参阅图2，一精密切割仪(under knife precision cutter，UKPC)3主要是由一活动平台31、一显微观测装置32以及一切割刀具组33所组成。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄教忠，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：