在半导体器件中形成金属线的方法技术

本发明专利技术揭示一种在一半导体器件内形成一金属线的方法，其包括以下步骤：按顺序在其上已形成次结构的一半导体衬底上形成一第一绝缘薄膜、一蚀刻阻挡薄膜及一第二绝缘薄膜；通过图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜、该蚀刻阻挡薄膜及该第一绝缘薄膜来形成用于在不同点曝露该次结构的多个通孔，且通过重新图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜及该蚀刻阻挡薄膜于所述多个通孔上分别形成多个沟槽图案；通过将一金属材料填充于所述多个通孔及沟槽图案内来形成多个通路及沟槽；移除该第二绝缘薄膜；及在包括该经移除的第二绝缘薄膜的所得结构上形成一第三绝缘薄膜。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，更特定而言，涉及一种根据镶嵌工艺(damascene process)。
技术介绍
近来，由于半导体器件的高集成趋势而导致不易获取用于金属线的绝缘薄膜，因此一种通过使用镶嵌工艺形成金属线的工艺愈加在金属线之间产生短路，即串扰。也就是，在通过形成沟槽图案从而形成金属线的工艺中，以相同间距在对金属线的预定比率上形成绝缘薄膜是重要的。然而，由于普通工艺例如光蚀刻工艺(photoetching process)、在填充金属材料之前的清洁工艺以及在填充金属材料之后的平面化工艺(planarizationprocess)，绝缘薄膜被过度移除，因此具有比所需值更小的宽度。通过将金属材料填充于由绝缘薄膜界定的沟槽图案中来形成金属线。此处，相邻金属线之间的宽度被减小从而在金属线之间产生干扰，即串扰。因此，金属线的可靠性下降。
技术实现思路
本专利技术是针对一种，该方法可阻止由于半导体器件的高集成趋势而导致的金属线可靠性下降。本专利技术的一个方面是提供一种，其包括以下步骤在其上已形成次结构的半导体衬底上按顺序形成一第一绝缘薄膜、一蚀刻阻挡薄膜及一第二绝缘薄膜；通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体器件中形成金属线的方法，其包括以下步骤：在其上已形成次结构的一半导体衬底上，按顺序地形成一第一绝缘薄膜、一蚀刻阻挡薄膜及一第二绝缘薄膜；通过图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜、该蚀刻阻挡薄膜及该第一绝缘薄膜来形成在 不同点曝露该次结构的多个通孔，且通过重新图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜及该蚀刻阻挡薄膜来于所述多个通孔上分别形成多个沟槽图案；通过将一金属材料填充于所述多个通孔及沟槽图案中来形成多个通路及沟槽；移除该第二绝缘薄膜；及　 　在包括该经移除的第二绝缘薄膜的该所得结构上形成一第三绝缘薄膜。

【技术特征摘要】
KR 2003-11-11 79422/031.一种在半导体器件中形成金属线的方法，其包括以下步骤在其上已形成次结构的一半导体衬底上，按顺序地形成一第一绝缘薄膜、一蚀刻阻挡薄膜及一第二绝缘薄膜；通过图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜、该蚀刻阻挡薄膜及该第一绝缘薄膜来形成在不同点曝露该次结构的多个通孔，且通过重新图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜及该蚀刻阻挡薄膜来于所述多个通孔上分别形成多个沟槽图案；通过将一金属材料填充于所述多个通孔及沟槽图案中来形成多个通路及沟槽；移除该第二绝缘薄膜；及在包括该经移除的第二绝缘薄膜的该所得结构上形成一第三绝缘薄膜。2.如权利要求1的方法，其中移除该第二绝缘薄膜的步骤减小了该些沟槽的宽度及厚度以及该蚀刻阻挡薄膜的厚度。3.如权利要求1的方法，其中移除该第二绝缘薄膜的步骤是一湿浸工艺及一干式蚀刻工艺中的一种。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金兑京，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]