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本发明揭示一种在一半导体器件内形成一金属线的方法，其包括以下步骤：按顺序在其上已形成次结构的一半导体衬底上形成一第一绝缘薄膜、一蚀刻阻挡薄膜及一第二绝缘薄膜；通过图案化该所得结构的该第二绝缘薄膜、该蚀刻阻挡薄膜及该第一绝缘薄膜来形成用于在不...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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