一种形成半导体器件金属线的方法技术

一种形成半导体器件金属线的方法包括：在半导体衬底上形成介电膜；在包括介电膜的整个结构上形成多个平行的光刻胶图案；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隔物；通过除去光刻胶图案暴露介电膜；通过蚀刻所述暴露的介电膜形成镶嵌图案；除去所述间隔物；在包括镶嵌图案的整个结构上形成金属材料，并且该抛光金属材料，由此形成金属线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，更具体地涉及一种形 成具有微小金属线间距的半导体器件金属线的方法。
技术介绍
通常，在半导体器件制造期间形成金属线的方法可以被区分为镶嵌方 案或钨(W)蚀刻方案。特别地，随着半导体器件集成度的提高，线宽降低。为形成具有微小线宽的金属线，必须形成微镶嵌图案。然而，在制造 半导体器件期间通过光刻工艺形成的图案的最小间距是由来自曝光设备的用于曝光的光波长决定的。当半导体器件集成度提高时，为形成具有更 小间多巨的图案，必须4吏用比传统用于啄光的光的波长更短的光。X-射线或 电子束可用来提供更短的波长，然而使用X-射线或电子束仍在试验阶段以 解决涉及技术问题、生产能力等的问题。
技术实现思路
本专利技术涉及，其中在光刻胶图案的 侧壁上形成间隔物膜，使用所述间隔物作为蚀刻^^模形成微细金属图案， 并且其中金属线不连接的部分使得光刻胶图案之间的距离变窄，由此导致 间隔物彼此接触并且防止微细金属图案在间隔物彼此接触的地方形成。根据本专利技术一方面，形成半导体器件金属线的方法包括在半导体衬 底上形成介电膜；在包括介电膜的整个结构上形成多个平行的光刻胶图 案；在光刻胶图案的侧壁上形成间隔物本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的金属线的方法，所述方法包括：　在半导体衬底上形成介电膜；　在所述介电膜上形成多个平行的光刻胶图案；　在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隔物；　除去所述光刻胶图案以暴露所述介电膜；　蚀刻所述暴露的 介电膜以形成镶嵌图案；　除去所述间隔物；　在所述镶嵌图案上形成金属材料；和　抛光所述金属材料，由此形成金属线。

【技术特征摘要】
KR 2007-12-27 10-2007-01387691. 一种形成半导体器件的金属线的方法，所述方法包括在半导体衬底上形成介电膜；在所述介电膜上形成多个平行的光刻胶图案；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隔物；除去所述光刻胶图案以暴露所述介电膜；蚀刻所述暴露的介电膜以形成镶嵌图案；除去所述间隔物；在所述镶嵌图案上形成金属材料；和抛光所述金属材料，由此形成金属线。2. 根据权利要求1所述的方法，其中在所述金属线不连接的区域上形成 的光刻胶图案在其端部处沿相反方向向外延伸，使得在所述光刻胶图案的 各端部之间限定间隔。3. 根据权利要求2所述的方法，其中所述光刻胶图案的各端部之间的距 离小于所述间隔物的宽度的两倍。4. 根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻胶图案的间距是所述金属 线的间距的约两倍。5. 据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述介电膜之后，在所述介 电膜上形成第一和第二硬掩 以及抗反射涂层(ARC)。6. 根据权利要求5所述的方法，其中所述第一硬掩模膜和所述第二硬掩 ;^分别由旋涂碳(SOC)膜和多功能硬掩模(MFHM)膜形成，所述MFHM 包括含Si的BARC(底部ARC)。7. —种形成半导体器件金属线的方法，所述方法包括 在半导体衬底上提供的介电膜上形成多个平行的光刻胶图案，其中邻近所述金属线不连接的区域的光刻胶图案在所述金属线不连接的区域的 方向上具有凸出的部分；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隔物；除去所述光刻胶图案以暴...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宇荣，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]