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一种形成半导体器件金属线的方法包括：在半导体衬底上形成介电膜；在包括介电膜的整个结构上形成多个平行的光刻胶图案；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隔物；通过除去光刻胶图案暴露介电膜；通过蚀刻所述暴露的介电膜形成镶嵌图案；除去所述间隔物；在包括镶...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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