半导体内存元件及其制造方法技术

本发明专利技术是关于一种半导体内存元件及其制造方法，其中半导体内存元件包括主动区（１０１）、多个浮置闸极（１０３）及多个控制闸极（１０４）、一层内层绝缘层（１０９）与多个导体部（１０６）。其中主动区（１０１）包括多个在第一方向上延伸的主动区列（５２）以及多个在第二方向上延伸且具有多个凹陷部（１０５）的主动区行（５３），其中第二方向是与第一方向垂直。浮置闸极（１０３）及控制闸极（１０４）是配置在主动区列（５２）上。内层绝缘层（１０９）是配置在主动区（１０１）及控制闸极（１０４）上，其是作为位于一上层导线（１１０）下方的材料层。导体部（１０６）是与上层导线（１１０）及该主动区（１０１）电性连接，且分别位于主动区行（５３）的凹陷部（１０５）之上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种关于具有堆迭闸极结构的非挥发性。
技术介绍
具有堆迭结构的半导体内存元件中，主动区列和主动区行的交会处上会形成接触窗。主动区列为在第一个方向上延伸的主动区；而主动区行为第二个方向上延伸的主动区，其中第一个方向与第一个方向相垂直。请参阅图3-1与图3-2所示，其分别表示了现有习知的半导体内存元件的结构。此处将以具有浮置闸极的非挥发性记忆内存元件来说明此半导体记忆内存元件。请参阅3-1(a)所示，其是挥发性内存胞的平面结构，请参阅3-1(b)所示，其是图3-1(a)的内存元件沿着A-A’切线的剖面图。请参阅3-1(c)所示，其是图3-1(a)的内存元件沿着B-B’切线的剖面图。请参阅3-2(a)所示，其是是挥发性内存胞的平面结构。请参阅3-2(b)所示，其是图3-2(a)的内存元件的等效电路图。此种内存元件如尚未审查的日本专利早期公开特开平第1(1989)-181572号所公开的。请参阅图3-1所示，在硅基底100中已形成着主动区101和元件隔离区102。其中主动区101包括多个在第一个向上(如图3-1中垂直方向)延伸的主动区列52与多个在第二个方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体内存元件，其特征在于其包括：一主动区，其包括多数个在第一方向上延伸的主动区列以及多数个在第二方向上延伸且具有多数个凹陷部的主动区行，其中该第二方向与该第一方向垂直；多数个浮置闸极及多数个控制闸极，其配置在该主动区列上；一内层绝缘层，配置在该主动区及该些控制闸极上，其作为位于一上层导线下方的材料层；以及多数个导体部，其与该上层导线及该主动区电性连接，且分别位于该些主动区行的该些凹陷部之上。

【技术特征摘要】
JP 2003-11-14 2003-385647;JP 2004-9-30 2004-2876351.一种半导体内存元件，其特征在于其包括一主动区，其包括多数个在第一方向上延伸的主动区列以及多数个在第二方向上延伸且具有多数个凹陷部的主动区行，其中该第二方向与该第一方向垂直；多数个浮置闸极及多数个控制闸极，其配置在该主动区列上；一内层绝缘层，配置在该主动区及该些控制闸极上，其作为位于一上层导线下方的材料层；以及多数个导体部，其与该上层导线及该主动区电性连接，且分别位于该些主动区行的该些凹陷部之上。2.一种半导体内存元件，其特征在于其包括多数个电晶体，其包括多数个浮置闸极与多数个控制闸极；一内层绝缘层与一上层导线形成在该些电晶体上；一主动区，其包括多数个主动区列及多数个与该些主动区列连接的主动区行；以及多数个图案化该些浮置闸极时所移除的区域，其位于该些主动区行上，其中该上层导线与该些图案该些浮置闸极时所移除的区域位于该些主动区行上，且彼此电性连接。3.一种用半导体内存元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤形成一主动区，其包括多数个在第一方向上延伸的主动区列以及多数个在第二方向上...

【专利技术属性】
技术研发人员：招淳也，
申请(专利权)人：沖电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]