本发明专利技术涉及一种电子封装件的制法及其承载结构，包括强化层，其包含聚硅氧烷、二氧化硅及PET薄膜，其中，该聚硅氧烷于该强化层中占有5～30重量百分比，该二氧化硅于该强化层中占有1～20重量百分比，该聚对苯二甲酸乙二酯薄膜于该强化层中占有60～85重量百分比，以经由该承载结构进行半导体封装制程，以提升制程的可靠度。可靠度。可靠度。
【技术实现步骤摘要】
电子封装件的制法及其承载结构
[0001]本专利技术关于一种半导体封装制程，特别是关于一种电子封装件的制法及其承载结构。
技术介绍
[0002]随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化(miniaturization)的封装需求，发展出扇出(fan out)型封装的技术。
[0003]如图1所示，现有半导体封装件的制法于一承载件10上进行半导体元件15的封装制程。具体地，于该承载件10的粘着层100上形成线路结构11，再以覆晶方式经由导电凸块16及底胶17配置多个半导体元件15于该线路结构11(包含介电层110与线路部111)上，使该半导体元件15的电极垫150经由该导电凸块16电性连接该线路部111。之后，以压合(lamination)方式形成一包覆层18于该线路结构11上，以包覆该半导体元件15。
[0004]于后续制程中，可移除该承载件10及粘着层100，再进行植球及切单制程。
[0005]然而，现有半导体封装件1的制法中，于高温状态(如覆晶作业)下，该承载件10与粘着层100之间会发生剥离(peeling)现象，导致后续制程无法顺利进行。
[0006]因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成为目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
[0007]鉴于上述现有技术的缺陷，本专利技术提供一种电子封装件的制法及其承载结构，
[0008]本专利技术的承载结构，包括强化层，其包含聚硅氧烷、二氧化硅及聚对苯二甲酸乙二酯薄膜，其中，该聚硅氧烷于该强化层中占有5～30重量百分比，该二氧化硅于该强化层中占有1～20重量百分比，该聚对苯二甲酸乙二酯薄膜于该强化层中占有60～85重量百分比。
[0009]前述的承载结构中，还包括承载板，其上依序形成有一离形层、该强化层及一结合层。
[0010]本专利技术还提供一种电子封装件的制法，包括：提供一如前述的承载结构；于该承载结构上进行电子元件的封装制程；以及移除该承载结构。
[0011]前述的制法中，该电子元件的封装制程包括：形成线路结构于该承载结构上；设置该电子元件于该线路结构上；以及形成包覆层于该线路结构上，使该包覆层包覆该电子元件。进一步，于移除该承载结构后，外露出该线路结构，以形成导电元件于该线路结构上。
[0012]前述的制法中，该电子元件的封装制程包括：设置该电子元件于该承载结构上；以及形成包覆层于该承载结构上，使该包覆层包覆该电子元件。例如，于移除该承载结构后，形成线路结构于该包覆层与该电子元件上，使该线路结构电性连接该电子元件。或者，于移除该承载结构前，形成线路结构于该包覆层与该电子元件上，使该线路结构电性连接该电子元件。进一步，可形成导电元件于该线路结构上。
[0013]前述的制法中，还包括于移除该承载结构后，进行切单制程。
[0014]由上可知，本专利技术的电子封装件的制法及其承载结构，主要经由该强化层的设计，以于高温状态下，可避免该承载结构发生剥离现象，故相比于现有技术，本专利技术的制法能顺利进行所需的制程。
附图说明
[0015]图1为现有半导体封装件的制法的剖面示意图。
[0016]图2A至图2F为本专利技术的电子封装件的制法的第一实施例的剖面示意图。
[0017]图2D
’
为图2D的另一实施例示意图。
[0018]图3A至图3D为本专利技术的电子封装件的制法的第二实施例的剖面示意图。
[0019]图3B
’
至图3D
’
为图3B至图3D的另一实施例示意图。
[0020]附图标记说明
[0021]1:半导体封装件
[0022]10:承载件
[0023]100:粘着层
[0024]11,21:线路结构
[0025]110:介电层
[0026]111:线路部
[0027]15:半导体元件
[0028]150:电极垫
[0029]16:导电凸块
[0030]17:底胶
[0031]18,28:包覆层
[0032]2,3:电子封装件
[0033]2a:承载结构
[0034]20:承载板
[0035]200:离形层
[0036]201:强化层
[0037]202:结合层
[0038]21a:第一侧
[0039]21b:第二侧
[0040]210:绝缘层
[0041]211:线路层
[0042]212:电性接触垫
[0043]213:绝缘保护层
[0044]214:植球垫
[0045]25:电子元件
[0046]25a:作用面
[0047]25b:非作用面
[0048]250:电极垫
[0049]26:导电凸块
[0050]27:底胶
[0051]28a:表面
[0052]29:导电元件
[0053]36:导电盲孔
[0054]S:切割路径。
具体实施方式
[0055]以下经由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。
[0056]须知，本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“第一”、“第二”、“第三”、“上”、“下”、及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。
[0057]图2A至图2F为本专利技术的电子封装件2的制法的第一实施例的剖视示意图。
[0058]如图2A所示，提供一承载结构2a，其包含一承载板20，且该承载板20上依序形成有一离形(release)层200、一强化层201与一结合层202。
[0059]于本实施例中，该承载板20为半导体材料，如玻璃或其它适当构造，且该结合层202为粘着层，如贴布(tape)。
[0060]此外，该强化层201为含硅材料，如聚硅氧烷、二氧化硅或其它适当成分等。例如，该强化层201包含聚硅氧烷、二氧化硅及聚对苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜。具体地，该强化层201的成分组成如下表所示：
[0061][0062][0063]另外，有关离形层200的种类繁多，并无特别限制。
[0064]如图2B所示，形成一线路结构21于该承载结构2a的结合层202上。
[0065]于本实施例中，该线路结构21定义有相对的第一侧21a与第二侧21b，且该线路结构21以本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种承载结构，其特征在于，包括强化层，该强化层包含聚硅氧烷、二氧化硅及聚对苯二甲酸乙二酯薄膜，其中，该聚硅氧烷于该强化层中占有5～30重量百分比，该二氧化硅于该强化层中占有1～20重量百分比，该聚对苯二甲酸乙二酯薄膜于该强化层中占有60～85重量百分比。2.如权利要求1所述的承载结构，其特征在于，该承载结构还包括承载板，其上依序形成有一离形层、该强化层及一结合层。3.一种电子封装件的制法，其特征在于，包括：提供一如权利要求1或2中任一项所述的承载结构；于该承载结构上进行电子元件的封装制程；以及移除该承载结构。4.如权利要求3所述的电子封装件的制法，其特征在于，该电子元件的封装制程包括：形成线路结构于该承载结构上；设置该电子元件于该线路结构上；以及形成包覆层于该线路结构上，使该包覆层包覆该电子元件。5.如权利要求4所述的电子封装件的制法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：林泽源，廖俊明，陈宏棋，郑有志，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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