静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法技术

本发明专利技术提供一种静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法，其中，静电卡盘，包括：卡盘本体和限位环；限位环用于承托晶片；限位环的表面设置有连接部，连接部用于通过与移动件连接带动限位环和晶片移动，以将晶片安装在卡盘本体上；在晶片安装在卡盘本体上的情况下，限位环套接在卡盘本体的外围周侧。本发明专利技术能够延长静电卡盘的使用寿命。长静电卡盘的使用寿命。长静电卡盘的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法。

技术介绍

[0002]静电卡盘在半导体器件制造的各种工序中主要作为固定晶片的载置台使用。
[0003]静电卡盘除了用于固定晶片之外，还用于从晶片上去除伴随工序中产生的热量。例如，为了提高晶片的冷却效果，静电卡盘配置在冷却装置上，具体的的是采用向晶片的背面流入氦等背流气体的方式，以从吸附在卡盘本体上的晶片吸取热量。
[0004]现有的为将晶片安装至静电卡盘上，通常是在卡盘本体开设垂直于卡盘本体上表面的通孔，并在通孔内设置能够沿通孔长度方向移动的起模顶杆，通过起模顶杆的移动将机械手中的晶片平移至卡盘本体上。但是，在对晶片进行处理的过程中，通常会产生一些颗粒，这些颗粒就容易堵塞通孔，影响起模顶杆的正常工作，从而降低静电卡盘的使用寿命。

技术实现思路

[0005]为解决上述问题，本专利技术提供的静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法，能够延长静电卡盘的使用寿命。
[0006]第一方面，本专利技术提供一种静电卡盘，包括：卡盘本体和限位环；
[0007]所述限位环用于承托晶片；
[0008]所述限位环的表面设置有连接部，所述连接部用于通过与移动件连接带动所述限位环和所述晶片移动，以将所述晶片安装在所述卡盘本体上；
[0009]在所述晶片安装在所述卡盘本体上的情况下，所述限位环套接在所述卡盘本体的外围周侧。
[0010]可选地，所述限位环包括：承托部和限位部；
[0011]在所述限位环承托所述晶片的情况下，所述晶片与所述承托部搭接，所述晶片位于所述承托部的上方，所述限位部套接在所述晶片的外围周侧。
[0012]可选地，在所述晶片安装在所述卡盘本体上的情况下，所述承托部套接在所述卡盘本体的外围周侧，所述承托部的上表面与所述卡盘本体的上表面平齐。
[0013]可选地，所述限位部的内侧壁为顶部的口径大于底部的口径的斜面或曲面。
[0014]可选地，所述连接部为插槽，所述插槽开设在所述限位环的外围周侧。
[0015]可选地，所述连接部为凸块，所述凸块固定设置在所述限位环的外围周侧。
[0016]可选地，所述卡盘本体包括：卡盘上部和卡盘下部；
[0017]所述卡盘上部位于所述卡盘下部的上方；
[0018]在所述晶片安装在所述卡盘本体上的情况下，所述限位环套接在所述卡盘上部，所述限位环的底部与所述卡盘下部相抵触。
[0019]第二方面，本专利技术提供一种蚀刻半导体设备，包括：供料装置、传料装置、中转装置
和蚀刻装置；
[0020]所述供料装置用于提供晶片和用于提供如上所述的静电卡盘中的限位环；
[0021]所述蚀刻装置包括：如上所述的静电卡盘中的卡盘本体；
[0022]所述传料装置用于将所述供料装置中的限位环移动至所述中转装置，并用于将所述供料装置中的晶片移动至所述中转装置，以使限位环承托晶片；
[0023]所述传料装置还用于将承托晶片的限位环移动至所述蚀刻装置，以将晶片安装在所述卡盘本体上；
[0024]所述蚀刻半导体设备还包括：气锁室；
[0025]所述气锁室位于所述供料装置的出料口。
[0026]可选地，所述中转装置位于所述气锁室内。
[0027]第三方面，本专利技术提供一种晶片的安装方法，应用于如上所述的蚀刻半导体设备，所述方法包括：
[0028]将晶片放置在限位环上，以使限位环承托晶片；
[0029]通过所述连接部带动承托有晶片的限位环移动至所述卡盘本体，以将晶片安装在所述卡盘本体上
[0030]本专利技术实施例提供的静电卡盘、蚀刻半导体设备及晶片的安装方法，通过设置连接部，使得移动件能够通过连接部带动限位环和限位环所承托的晶片一起移动，并将晶片安装至卡盘本体上，操作简单，省去了通过在卡盘本体开设通孔以将晶片安装至卡盘本体上的结构，进而避免了颗粒堵塞通孔问题的出现，从而能够有效的延长静电卡盘的使用寿命。
附图说明
[0031]图1为本申请一实施例的安装有晶片的静电卡盘的剖视图；
[0032]图2为本申请一实施例的限位环承托晶片的俯视图；
[0033]图3至图5为本申请一实施例的晶片安装至卡盘本体过程中静电卡盘和晶片的局部剖视图；
[0034]图6为本申请一实施例的晶片安装至卡盘本体过程中静电卡盘和晶片的局部剖视图；
[0035]图7为本申请一实施例的蚀刻半导体设备的结构图；
[0036]图8为本申请一实施例的限位环和晶片移动至中装装置处的工作状态图；
[0037]图9为本申请一实施例的蚀刻半导体设备的结构图；
[0038]图10为本申请一实施例的限位环和晶片移动至中装装置处的工作状态图；
[0039]图11为本申请一实施例的晶片的安装方法的示意性流程图。
[0040]附图标记
[0041]100、卡盘本体；101、卡盘上部；102、卡盘下部；200、基座；300、限位环；301、连接部；302、承托部；303、限位部；410、供料装置；420、传料装置；430、中转装置；431、承接板；440、蚀刻装置；450、气锁室；500、晶片。
具体实施方式
[0042]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0043]第一方面，结合图1，本专利技术提供一种静电卡盘，包括：卡盘本体100、基座200和限位环300。其中，基座200用于支撑卡盘本体100；限位环300用于承托晶片500。
[0044]卡盘本体100包括：卡盘上部101和卡盘下部102。卡盘上部101位于卡盘下部102的上方；卡盘上部101与卡盘下部102一体成型固定连接。基座200套接在卡盘下部102的外围周侧。在晶片500安装在卡盘本体100上的情况下，限位环300套接在卡盘上部101，限位环300的底部与卡盘下部102和基座200相抵触；限位环300套接在卡盘本体100的外围周侧，且限位环300位于基座200的上方并与基座200的上表面相抵触，以使基座200承托限位环300。
[0045]结合图3至图5，限位环300的表面设置有连接部301。连接部301用于通过与移动件连接带动限位环300和晶片500移动，以将晶片500安装在卡盘本体100上。通过设置连接部301，使得移动件能够通过连接部301带动限位环300和限位环300所承托的晶片500一起移动，并将晶片500安装至卡盘本体100上，操作简单，省去了通过在卡盘本体100开设通孔以将晶片500安装至卡盘本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电卡盘，其特征在于，包括：卡盘本体和限位环；所述限位环用于承托晶片；所述限位环的表面设置有连接部，所述连接部用于通过与移动件连接带动所述限位环和所述晶片移动，以将所述晶片安装在所述卡盘本体上；在所述晶片安装在所述卡盘本体上的情况下，所述限位环套接在所述卡盘本体的外围周侧。2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述限位环包括：承托部和限位部；在所述限位环承托所述晶片的情况下，所述晶片与所述承托部搭接，所述晶片位于所述承托部的上方，所述限位部套接在所述晶片的外围周侧。3.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，在所述晶片安装在所述卡盘本体上的情况下，所述承托部套接在所述卡盘本体的外围周侧，所述承托部的上表面与所述卡盘本体的上表面平齐。4.根据权利要求2所述的静电卡盘，其特征在于，所述限位部的内侧壁为顶部的口径大于底部的口径的斜面或曲面。5.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述连接部为插槽，所述插槽开设在所述限位环的外围周侧。6.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述连接部为凸块，所述凸块固定设置在所述限位环的外围周侧。7.根据权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于，所述卡盘本体...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大镇，李俊杰，李琳，王佳，周娜，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：