【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种浅沟槽隔离工艺,特别涉及一种利用一氧-氮-氧化物层来改善浅沟槽隔离结构的边缘效应可能引起的漏电流与击穿问题的浅沟槽隔离工艺。
技术介绍
闪存组件近年来已成为重要的非挥发性存储元件,主要是因为闪存具有低消耗功率,存取速度快等优点,特别适用在笔记型计算机、个人型电子记事簿、数字相机等电子设备。当组件尺寸越做越小,集成度越来越高的情况下,传统常用的硅局部氧化隔离法(localoxidation of silicon),由于鸟嘴效应(bird beak),与表面不平整,在0.25微米以下的电路制作,多以浅沟槽隔离(Shallow trench isolation)所取代。浅沟槽隔离,能够有效地除去场氧化层的水平成长,场掺杂离子的水平扩散,小尺寸场氧化层的薄化效应,是一理想的可缩小化隔离技术,但是浅沟槽隔离结构在除去氮化硅和垫氧化硅,以及其它湿法处理工艺时,可能由于局部应力集中,容易过度刻蚀接近隔离边缘的填充氧化层,而形成一凹陷区,而产生漏电流与击穿等问题。因此本专利技术针对上述问题提出一种能降低边缘效应的浅沟槽隔离工艺,来解决上述的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的,在于提供一种能降低边缘效应的浅沟槽隔离工艺,它利用在浅沟槽内形成一氧-氮-氧化物层来改善一般浅沟槽隔离结构,因去除氮化硅与垫氧化,以及其它湿法处理工艺时,可能产生的边缘效应问题,并进而避免浅沟槽结构的边缘效应所诱发的漏电与击穿问题,以此增进组件的特性及电性品质。为达上述的目的,本专利技术提供一种能降低边缘效应的浅沟槽隔离工艺,它先提供一基底;在基底上依序形成一垫氧化层、一氮化 ...
【技术保护点】
一种能降低边缘效应的浅沟槽隔离工艺,包括下列步骤:提供一基底;在所述基底上依序形成一垫氧化层、一氮化硅层与一图案化光刻胶层;以所述图案化光刻胶为掩膜,刻蚀所述氮化硅层、所述垫氧化层及所述基底,以形成多个浅沟槽,而后去 除所述图案化光刻胶层;在所述浅沟槽表面形成一氧-氮-氧化物层;以及在所述基底表面形成一氧化物层,使其填满所述浅沟槽,而后去除所述基底表面多余的所述氧化物层、所述氮化硅层与所述垫氧化层,以形成浅沟槽隔离结构。
【技术特征摘要】
1.一种能降低边缘效应的浅沟槽隔离工艺,包括下列步骤提供一基底;在所述基底上依序形成一垫氧化层、一氮化硅层与一图案化光刻胶层;以所述图案化光刻胶为掩膜,刻蚀所述氮化硅层、所述垫氧化层及所述基底,以形成多个浅沟槽,而后去除所述图案化光刻胶层;在所述浅沟槽表面形成一氧-氮-氧化物层;以及在所述基底表面形成一氧化物层,使其填满所述浅沟槽,而后去除所述基底表面多余的所述氧化物层、所述氮化硅层与所述垫氧化层,以形成浅沟槽隔离结构。2.根据权利要求1所述的能降低边缘效应的浅沟槽隔离工艺,其特征在于所述氧-氮-氧化物层以氧化氮或一氧化二氮的气氛对所述基底进行一退火工艺所形成。3....
【专利技术属性】
技术研发人员:金平中,
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。