具有铜触点的集成电路管芯片及其方法技术

一种集成电路管芯（１０），具有铜触点（１６、１８），其在暴露于周围空气时形成了自然氧化铜。一种有机材料施加到铜触点，其同自然氧化铜反应以在铜触点上形成有机涂层（１２、１４），以便于防止进一步的铜氧化。这样，诸如大于１００摄氏度的较高温度下的进一步的工艺，不受过度的铜氧化的限制。例如，由于有机涂层，引线接合工艺的高温不会导致将阻碍可靠的引线接合的过度的氧化。因此，有机涂层的形成允许可靠的和热阻的引线接合（３２、３４）。可替换地，有机涂层可以在集成电路管芯的形成过程中的任何时间形成在暴露的铜上，以限制铜氧化的形成。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及集成电路，更具体地，涉及具有铜触点的集成电路管芯。
技术介绍
在集成电路制造中，引线接合是一种得到良好证实的用于将具有电路的半导体管芯连接到元件封装上的引脚的方法。而且，日益普遍的是，使用铜金属互连。然而，由于自然氧化铜在引线接合温度(通常大于130摄氏度～170摄氏度)下的不稳定性，使用现有的生产组装设备，将引线直接接合到铜是不可行的。现今可利用的一种解决方案是使用铝帽层，其在铜接合焊盘上使用，由此接合线接合到铝而非铜。然而，加入铝帽层增加了工艺成本。而且，使用铝帽层还需要在铝帽层和铜接合焊盘之间使用阻挡层和/或粘合层，其进一步增加了工艺成本。而且，相比于铜到金的接合，铝到金的引线接合通常具有减少的机械强度。现今可利用的另一种解决方案是使用陶瓷帽层，其在铜接合焊盘上使用。因此，引线接合必须经由引线接合机提供的热声能量，穿透陶瓷帽层，以实现同铜接合焊盘的连接。在该解决方案中，陶瓷帽层是淀积在整个晶片上的覆盖层。然而，为了使引线接合能够穿透陶瓷帽层，帽层必须非常薄。但是，当覆盖层淀积在薄的层上时，难于维持可接受的均匀性，因此导致了减少的组装产率。而且，对覆盖层淀积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路管芯，包括：铜触点；铜触点上的涂层，该涂层包括由有机材料与氧化铜的反应形成的材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】MY 2003-4-2 PI200312271.一种集成电路管芯，包括铜触点；铜触点上的涂层，该涂层包括由有机材料与氧化铜的反应形成的材料。2.权利要求1的集成电路管芯，其中，通过将铜触点暴露于包括有机材料的溶液中来形成涂层。3.权利要求2的集成电路管芯，其中，溶液具有至少为7的pH级。4.权利要求3的集成电路管芯，其中，溶液具有至少为7.5的pH级。5.权利要求1的集成电路管芯，其中，有机材料包括具有氮-氢键的分子。6.权利要求1的集成电路管芯，其中，有机材料包括苯并三氮唑。7.权利要求1的集成电路管芯，其中，有机材料包括甲苯并三氮唑、咪唑、苯并咪唑、聚苯胺和聚咪唑中的至少一个。8.权利要求1的集成电路管芯，进一步包括多个互连层，包括最终铜互连层；绝缘层，其覆盖互连层；其中，铜触点位于最终铜层中，并且可通过绝缘层中的开口接入。9.权利要求8的集成电路管芯，其中，涂层位于绝缘层中的开口中。10.权利要求1的集成电路管芯，其中，铜触点是引线接合焊盘。11.权利要求1的集成电路管芯，其中，涂层具有100C或更大的热阻。12.权利要求1的集成电路管芯，其中，涂层具有150埃或更少的厚度。13.权利要求1的集成电路管芯，其中，涂层具有20～50埃的厚度范围。14.权利要求1的集成电路管芯，其中，涂层具有50埃或更少的厚度。15.一种集成电路封装，其包括权利要求1的集成电路管芯，并且进一步包括封装基板，所述集成电路管芯附连到封装基板；引线，其连接到铜触点并且连接到封装基板的触点。16.一种用于制造集成电路的方法，该方法包括在集成电路的铜触点上通过将铜触点暴露于具有7或更大的pH级并且包括有机材料的溶液中形成涂层。17.权利要求16的方法，进一步包括在所述形成之后将引线接合到铜触点。18.权利要求17的方法，其中在100C或以上的温度下，执行引线到铜触点的接合。19.权利要求17的方法，进一步包括在形成涂层之后，在接合引线之前，等离子体清洗涂层的暴露表面。20.权利要求17的方法，其中，所述接合除去了至少一部分直接位于引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：李巨钟，菲埃达B哈龙，凯文J埃斯，谭兰春，杨俊才，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]