薄膜晶体管的制作方法技术

一种薄膜晶体管的制作方法，通过在源极与漏极的离子掺杂过程中，加入氮气的注入以抑制其它掺质浓度的扩散速率，使低温多晶硅在退火（Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）之后自动形成浅接面的轻掺杂漏极结构（Ｌｉｇｈｔｌｙ　　Ｄｏｐｅｄ　　Ｄｒａｉｎ，ＬＤＤ）。氮气的注入可于注入其它掺质之前或之后施行。氮气注入的深度小于或等于其它掺质的注入深度。利用此方法制造轻掺杂漏极结构，可简化工艺，改善热载流子效应并钝化多晶硅中的缺陷。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是一种低温多晶硅薄膜晶体管的轻掺杂漏极(Lightly Doped Drain，LDD)结构的制作方法及其掺质掺杂注入的方式。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是液晶显示器中用来控制每个像素(Pixel)亮度的基本电路组件，随着科技的发展，多晶硅结构可在低温环境下利用激光热退火(Laser annealing)的工艺来形成，薄膜晶体管的制造乃由早期的非晶硅结构演进到低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)结构，这种结构工艺的变化大幅改善了薄膜晶体管的电性，也克服了玻璃基板不能耐高温的问题，使TFT可直接于玻璃基板上形成。然而LTPS具有下述问题，以p型硅基材为例，一个现有标准低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)的结构在多晶硅层上会包含两个作为源极与漏极之用的n型重掺杂区，由于这两个n型掺杂区的掺杂浓度较高，且与栅电极导体间的间距甚小，导致漏极附近的电场太强，因而产生热载流子效应(hot carriereffect)，使多晶硅薄膜晶体管在关闭状态下会有漏电流(leakage 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，包含下列步骤：提供一基板，在基板表面形成一多晶硅层，该多晶硅层表面覆盖一栅极绝缘层；形成一栅电极区在该栅极绝缘层之上；进行离子注入工艺，将掺质注入于该栅电极区周围的多晶硅层中，其中该掺质包含 氮及第一导电型态离子，该氮掺质的注入深度小于或等于该第一导电型态离子的注入深度；以及进行退火工艺，以活化扩散该多晶硅层中的该掺质而形成一轻掺杂漏极结构。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，包含下列步骤提供一基板，在基板表面形成一多晶硅层，该多晶硅层表面覆盖一栅极绝缘层；形成一栅电极区在该栅极绝缘层之上；进行离子注入工艺，将掺质注入于该栅电极区周围的多晶硅层中，其中该掺质包含氮及第一导电型态离子，该氮掺质的注入深度小于或等于该第一导电型态离子的注入深度；以及进行退火工艺，以活化扩散该多晶硅层中的该掺质而形成一轻掺杂漏极结构。2.根据权利要求1项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该多晶硅层是由下列步骤所形成沉积一非晶硅层于该基板上；经过热处理将该非晶硅层转变为一多晶硅层；以及刻蚀该多晶硅层而形成一图案化多晶硅层。3.根据权利要求2项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在成长非晶硅层的步骤前包含利用化学汽相沉积法成长一介电膜于该基板上的步骤。4.根据权利要求2项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，其中该热处理步骤为激光或高温退火。5.根据权利要求2项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，其中于热处理与刻蚀步骤之间更包含一去氢处理的步骤。6.根据权利要求1项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该栅极绝缘层利用化学汽相沉积法所形成。7.根据权利要求1项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该栅电极区利用物理汽相沉积法与图案化而形成。8.根据权利要求1项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该栅电极区的材质是选自铬、钼、钨、钽、铝-钕及其合金。9.根据权利要求1项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈嘉男，谢呈男，刘博智，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]