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薄膜晶体管的制作方法技术
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文档序号:3195314
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一种薄膜晶体管的制作方法,通过在源极与漏极的离子掺杂过程中,加入氮气的注入以抑制其它掺质浓度的扩散速率,使低温多晶硅在退火(Annealing)之后自动形成浅接面的轻掺杂漏极结构(Lightly Doped Drain,LDD)。氮气的...
该专利属于中华映管股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中华映管股份有限公司授权不得商用。
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