【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有纵型栅极电极的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
近年来，随着电子机械器具的低耗电化、高性能化及高速化，也越来越要求附带在该机械器具中的半导体装置的低耗电化或高速化等。为了响应这些要求，也越来越要求一般使用在电子机械器具的DC-DC变换器的半导体装置具有晶体管的通态电阻较小的特性。作为用以降低晶体管的通态电阻的方法之一，有将设置在每个单位面积的晶体管的密度增大的方法。具体地说，有将半导体装置的栅极电极设置在纵方向(与衬底主面垂直的方向)的方法。作为适用了该方法的半导体装置，有纵型栅极半导体装置。在纵型栅极半导体装置中，将栅极电极设置在纵方向上，且将源极区域形成为与该栅极电极的上部对着。并且，形成有与栅极电极的底部对着的漏极区域。但是，在纵型栅极半导体装置中，由于将栅极电极设置在纵方向上，因此该纵型栅极电极的最上面、和源极区域存在的硅区域表面几乎存在于同一平面上。所以，当将共通电极连接在源极区域及体接触区域上时，存在有必须防止例如利用凸形绝缘膜遮盖纵型栅极电极的上部而使源极区域或体接触区域、和纵型栅极电极导通的课题。作为解决这样的课题的先端...
【技术保护点】
一种纵型栅极半导体装置，其特征在于：包括：漏极区域，第１体区域，形成在上述漏极区域的上侧，第２体区域，形成在上述第１体区域中的一部分的上侧，第１源极区域，形成在上述第１体区域中的其它部分的上侧，第２源 极区域，形成在上述第２体区域的上侧、与上述第１源极区域电连接，沟渠，形成在上述第１源极区域、上述第２源极区域、上述第１体区域及上述第２体区域中，以及栅极，形成在上述沟渠内；上述第２源极区域发挥上述第１源极区域的电触点 作用，上述第２体区域发挥上述第１体区...
【技术特征摘要】
JP 2004-12-14 2004-3609971.一种纵型栅极半导体装置，其特征在于包括漏极区域，第1体区域，形成在上述漏极区域的上侧，第2体区域，形成在上述第1体区域中的一部分的上侧，第1源极区域，形成在上述第1体区域中的其它部分的上侧，第2源极区域，形成在上述第2体区域的上侧、与上述第1源极区域电连接，沟渠，形成在上述第1源极区域、上述第2源极区域、上述第1体区域及上述第2体区域中，以及栅极，形成在上述沟渠内；上述第2源极区域发挥上述第1源极区域的电触点作用，上述第2体区域发挥上述第1体区域的电触点作用；上述沟渠壁面中的上缘部呈圆弧状。2.根据权利要求1所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述第1源极区域及上述第2源极区域露出上述沟渠壁面中的上缘部，露出上述沟渠壁面中的上缘部的上述第1源极区域及上述第2源极区域呈圆弧状。3.根据权利要求1所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述沟渠壁面中的从上缘部跨越到上述第1源极区域及上述第2源极区域上面的部分的整个部分呈圆弧状。4.根据权利要求1所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述第2源极区域的厚度，小于上述第1源极区域的厚度。5.根据权利要求1所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述第2源极区域遮盖整个上述第2体区域。6.根据权利要求1所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述第2体区域上部的杂质浓度，高于上述第2体区域下部的杂质浓度。7.根据权利要求1所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于栅极区域，形成为在上述沟渠的上部留有凹部；上述第2体区域露出上述凹部的壁面。8.根据权利要求1所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于栅极区域，形成为在上述沟渠的上部留有凹部；上述第1源极区域及上述第2源极区域分别露出上述凹部的壁面，且在该各露出部分及上述各源极区域的上面电接触。9.根据权利要求7所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述第2体区域，在其上部具有杂质浓度相对较高的高浓度区域；上述高浓度区域露出上述凹部的壁面，且在该露出部分中电接触。10.根据权利要求7所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述第2源极区域及上述第2体区域分别露出上述凹部的壁面，且在该各露出部分中电接触。11.根据权利要求7所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于还包括从上述第2源极区域上侧的区域夹着绝缘膜设置到上述栅极区域上侧的区域为止的其它电极；上述其它电极，在上述凹部的壁面中与上述第2源极区域及上述第2体区域相接。12.根据权利要求1所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述沟渠的宽度小于等于0.3μm；上述沟渠的纵横尺寸比大于等于3。13.根据权利要求12所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述沟渠数大于等于400。14.一种纵型栅极半导体装置，其特征在于包括漏极区域，第1体区域，形成在上述漏极区域的上侧，第2体区域，形成在上述第1体区域中的一部分的上侧，第1源极区域，形成在上述第1体区域中的其它部分的上侧，第2源极区域，形成在上述第2体区域的上侧、与上述第1源极区域电连接，沟渠，形成在上述第1源极区域及上述第1体区域中，以及栅极，形成在上述沟渠内；上述第2源极区域发挥上述第1源极区域的电触点作用，上述第2体区域发挥上述第1体区域的电触点作用；上述沟渠壁面中的上缘部呈圆弧状；栅极区域，形成为在上述沟渠的上部留有凹部；上述第2体区域露出上述凹部的壁面，且在该露出部分中电接触。15.根据权利要求14所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述第1源极区域及上述第2源极区域露出上述沟渠壁面中的上缘部，且露出上述沟渠壁面中的上缘部的上述第1源极区域及上述第2源极区域呈圆弧状。16.根据权利要求14所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述沟渠壁面中的从上缘部跨越到上述第1源极区域及上述第2源极区域上面的部分的整个部分呈圆弧状。17.根据权利要求16所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于还包括从上述第1源极区域及上述第2源极区域上侧的区域夹着绝缘膜设置到上述栅极区域上侧的区域为止的其它电极；上述其它电极，在上述凹部的壁面中与上述第2源极区域及上述第2体区域相接。18.根据权利要求17所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述其它电极，分别与上述第1源极区域及上述第2源极区域电连接。19.根据权利要求14所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述第2源极区域，薄于上述第1源极区域。20.根据权利要求14所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述第2体区域，具有下部、和杂质浓度高于上述下部的上部；上述上部露出上述凹部的壁面，且在该露出部分中电接触。21.根据权利要求20所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于在上述凹部中，与上述栅极之间夹着绝缘层形成有其它电极；上述其它电极，在上述凹部的壁面中与上述上部相接。22.根据权利要求14所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述沟渠的宽度小于等于0.3μm；上述沟渠的纵横尺寸比大于等于3。23.根据权利要求22所述的纵型栅极半导体装置，其特征在于上述沟渠数大于等于400。24.一种纵型栅极半导体装置的制造方法，该纵型栅极半导体装置具有发挥晶体管作用的第1区域，和发挥与上述晶体管的体区域的电触点作用且与上述第1区域邻接设置的第2区域，其特征在于包括第1工序，在上述第1区域中形成第1漏极区域，在上述第2区域中形成第2漏极区域，在上述第1漏极区域的上侧形成第1体区域，和在上述第2漏极区域的上侧形成第2体区域，第2工序，在上述第1体区域及上述第2体区域中形成沟渠，第3工序，在上述第1体区域的上侧形成第1源极区域，第4工序，在上述第2体区域的上侧形成第2源极区域，第5工序，在上述第2工序后，在上述沟渠内形成在上述沟渠的上部留有凹部的栅极，第6工序...
【专利技术属性】
技术研发人员：沟口修二，角田一晃，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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