【技术实现步骤摘要】
本专利技术，涉及一种搭载了半导体芯片的树脂衬底和薄膜部件相互交替叠层而立体构成的多层构造半导体微型组件及其制造方法。
技术介绍
伴随着手机或数码相机等各种电子装置的小型化及高性能化的要求，提出了电子部件，特别是将复数个半导体芯片叠层后，再将它们整体化的多层构造的半导体微型组件的方案。为将这样的叠层型半导体微型组件简便而低成本地制造的方法以前就被提出了。以前的半导体微型组件，是汇集了形成了所规定的布线电路的印刷基板、搭载在印刷基板上的半导体芯片、具有形成了可收容半导体芯片的开口和能与印刷基板的布线电路的导电性块的层间部件的叠层物。并且，以前的半导体微型组件，是由包含在成为层间部件的绝缘性基材两面粘贴保护薄膜的工序、在绝缘性基材的所规定位置形成贯通孔的工序、在贯通孔中充填导电性软膏形成导电块的工序、剥离保护薄膜的工序、在绝缘性基材上形成可收容半导体芯片的开口部的工序、将绝缘性基材和印刷基板交替叠层粘结的工序的方法制造的(如专利文件1)。根据这个方法，在两面粘贴了保护薄膜的绝缘性基材的所规定位置上形成贯通孔，在该贯通孔中充填导电性软膏以后，通过剥离保护薄膜，由此可以...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多层构造半导体微型组件，其特征为将具有第1埋入导体及上表面上组装了半导体芯片的树脂衬底，和形成了为收纳上述半导体芯片的开口部及具有与上述第1埋入导体电连接的第2埋入导体的薄膜部件交替叠层而成，上述树脂衬底及上述薄膜部件为复数层，上述树脂衬底中设置在最下层的树脂衬底，比其他的上述树脂衬底厚。2.根据权利要求1所述的多层构造半导体微型组件，其特征为上述薄膜部件，具有树脂基材和设置在上述开口部周围的上述第2埋入导体，上述树脂基材的厚度，比上述半导体芯片的厚度大。3.根据权利要求1所述的多层构造半导体微型组件，其特征为上述第1埋入导体从上述树脂衬底的上表面贯通到背面，连接上述第1埋入导体的上述第2埋入导体，从上述树脂基材的上表面及背面突出。4.根据权利要求1所述的多层构造半导体微型组件，其特征为上述设置在最下层的树脂衬底的背面上，形成与外部器件连接的复数个外部连接用接线柱。5.根据权利要求1所述的多层构造半导体微型组件，其特征为在除上述设置在最下层的树脂衬底的上述树脂衬底上组装形成了半导体存储元件的上述半导体芯片，在上述设置在最下层的树脂衬底上组装形成了为控制上述半导体存储元件的控制用半导体元件的半导体芯片。6.根据权利要求1所述的多层构造半导体微型组件，其特征为上述树脂衬底中设置在最下层及最上层的树脂衬底上组装的上述半导体芯片中至少一个的厚度，比其他树脂衬底上组装的上述半导体芯片厚。7.根据权利要求1所述的多层构造半导体微型组件，其特征为在上述树脂衬底中设置于最上层的树脂衬底上面，还设置了热传导率比上述树脂衬底大的刚性板。8.根据权利要求1所述的多层构造半导体微型组件，其特征为上述树脂衬底中设置在最下层及最上层的树脂衬底以外的树脂衬底中的上述第1埋入导体的直径，比设置在上述最下层及最上层的树脂衬底中的上述第1埋入导体的直径大。9.根据权利要求8所述的多层构造半导体微型组件，其特征为上述薄膜部件中，设置在与上述最下层及最上层的树脂衬底接触的薄膜部件以外的薄膜部件中的上述第2埋入导体的直径，比设置在与上述最下层及最上层树脂衬底接触的薄膜部件中的上述第2埋入导体的直径大。10.根据权利要求1所述的多层构造半导体微型组件，其特征为上述半导体芯片的主面上设置了垫电极，上述树脂衬底，还具有与上述垫电极结合的连接用接线柱，和连接上述连接用接线柱与上述第1埋入导体的布线。11.根据权利要求10所述的多层构造半导体微型组件，其特征为上述垫电极设置在上述半导体芯片的中央区域，上述布线，设置在上述树脂...
【专利技术属性】
技术研发人员：川端毅，佐藤元昭，福田敏行，津田俊雄，登一博，中谷诚一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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