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本发明公开了一种纵型栅极半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在不增大源极区域的接触电阻的情况下，可谋求小型化的纵型栅极半导体装置及其制造方法。发挥晶体管作用的第１区域１１，具有：漏极区域１１１、形成在漏极区域１１１上侧的体区域１１２、...
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