【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的制造技术,并且更特别地涉及一种可有效应用于半导体器件的技术,其中通过传递模塑方法利用树脂密封安装在衬底上方的半导体芯片。
技术介绍
在诸如BGA(球栅阵列)型或CSP(芯片尺寸封装)型半导体器件的制造中,例如,采用模塑阵列封装。在模塑阵列封装中,使用具有多个器件形成区(器件区)的多布线衬底(多芯片键合的衬底),多个器件形成区按矩阵布置在平面上,其中安装在布线衬底的主表面上方以便对应于每个器件形成区的多个半导体芯片被一个树脂密封部件树脂密封。具体地,其上方安装多个半导体芯片以便对应于每个器件形成区的多布线衬底位于模塑模具的上模和下模之间,并被夹持,然后熔化的热固性树脂被注入到密封腔(树脂密封部件形成部分),由此,通过树脂将对应于每个器件形成区而安装的多个半导体芯片一次密封在一起。例如,在日本未审专利申请No.2003-109983(专利参考文献1)中公开了使用上述模塑阵列封装的半导体器件的制造技术。同样的参考文献1也公开了其中“通过在陶瓷衬底20的端面形成浇口断开点(gate breaking point),由于不受陶瓷衬底20和树 ...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:制备布线衬底,在其主表面上方安装有半导体芯片;制备模塑模具,当把所述布线衬底布置在上模和下模之间时,所述模塑模具具有树脂密封部件形成部分和树脂流动路径,所述树脂密封部件形成部分位于所述 布线衬底的所述主表面上方使得覆盖在所述布线衬底上方安装的所述半导体芯片,以及所述树脂流动路径从所述布线衬底的外侧跨过所述布线衬底的一边,以与所述树脂密封部件形成部分连通;通过所述树脂流动路径,将树脂注入所述树脂部件形成部分中,形成树 脂密封部件,所述树脂密封部件树脂密封布置在所述模塑模具的所述上模和所述下模之 ...
【技术特征摘要】
JP 2005-3-22 081453/20051.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤制备布线衬底,在其主表面上方安装有半导体芯片;制备模塑模具,当把所述布线衬底布置在上模和下模之间时,所述模塑模具具有树脂密封部件形成部分和树脂流动路径,所述树脂密封部件形成部分位于所述布线衬底的所述主表面上方使得覆盖在所述布线衬底上方安装的所述半导体芯片,以及所述树脂流动路径从所述布线衬底的外侧跨过所述布线衬底的一边,以与所述树脂密封部件形成部分连通;通过所述树脂流动路径,将树脂注入所述树脂部件形成部分中,形成树脂密封部件,所述树脂密封部件树脂密封布置在所述模塑模具的所述上模和所述下模之间的、在所述布线衬底上方安装的所述半导体芯片;以及在所述布线衬底的厚度方向上,向树脂部件施加弯曲应力,由此在所述树脂部件上产生断裂,所述树脂部件由所述树脂流动路径中留下的树脂与所述树脂密封部件一体地形成,其中所述树脂流动路径具有第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述布线衬底的外侧,所述第二部分与所述第一部分和所述树脂密封部件形成部分连通并且位于所述布线衬底的所述主表面上方,以及其中所述第二部分距所述布线衬底的所述主表面的高度低于所述第一部分距所述布线衬底的所述主表面的高度。2.根据权利要求1的制造半导体器件的方法,其中所述树脂流动路径的所述第二部分距所述布线衬底的所述主表面的高度低于所述树脂密封部件形成部分距所述布线衬底的所述主表面的高度。3.根据权利要求1的制造半导体器件的方法,其中所述树脂流动路径的所述第二部分在所述布线衬底的一边处终止。4.根据权利要求1的制造半导体器件的方法,其中在所述布线衬底的所述主表面上方,所述树脂流动路径的所述第二部分在所述布线衬底的一边的附近处终止。5.根据权利要求1的制造半导体器件的方法,其中所述树脂流动路径的所述第一部分和所述第二部分在所述布线衬底的一边上方彼此连通。6.根据权利要求1的制造半导体器件的方法,其中所述树脂流动路径的所述第一部分和所述第二部分在所述布线衬底的一边的略微向内的位置处彼此连通。7.根据权利要求1的制造半导体器件的方法,其中所述树脂流动路径的所述第二部分距所述布线衬底的所述主表面的高度等于所述第二部分和所述树脂密封部件形成部分之间的连接部分处的树脂注入口。8.根据权利要求1的制造半导体器件的方法,其中所述树脂流动路径的所述第二部分距所述布线衬底的所述主表面的高度高于所述第二部分和所述树脂密封部件形成部分之间的连接部分处的树脂注入口。9.根据权利要求1的制造半导体器件的方法,其中以将薄膜粘附到所述树脂流动路径的内表面和所述树脂密封部件形成部分的内表面上的状态,执行形成所述树脂密封部件的步骤。10.根据权利要求1的制造半导体器件的方法,其中所述布线衬底具有多个器件形成区,其中安装多个半导体芯片,使得对应于所述布线衬底的每个所述器件形成区,其中沿所述布线衬底的一边,设置多个树脂流动路径,以及其中形成所述树脂密封部件形成部分,以具有共同覆盖所述布线衬底上方的所述多个器件形成区的尺寸。11.根据权利要求1的制造半导体器件的方法,其中所述布线衬底沿其一边具有多个器件形成区,其中安装多个半导体芯片,使得对应于所述布线衬底的每个所述器件形成区,以及其中设置多个树脂流动路径和多个树脂密封部件形成部分,使得对应于所述布线衬底上方的所述多个器件形成区的每一个。12.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤制备布线衬底,在其主表面上方安装有半导体芯片;制备模塑模具,当把所述布线衬底布置在上模和下模之间时,所述模塑模具具有树脂密封部件形成部分、第一树脂流动路径和第二树脂流动路径,所述树脂密封部件形成部分位于所述布线衬底的所述主表面上方,使得覆盖在所述布线衬底上方安装的所述半导体芯片,所述第一树脂流动路径从所述布线衬底的外侧跨过所述布线衬底的第一边,以与所述树脂密封部件形成部分连通,所述第二树脂流动路径在布线衬底的第二边处,位于所述布线衬底的所述主表面上方,以与所述树脂密封部件形成部分连通,所述布线衬底的所述第二边与其所述第一边相对;通过所述第一树脂流动路径将树脂注入所述树脂密封部件形成部分中并且注入所述第二树脂流动路径,形成树脂密封部件以及与所述树脂密封部件一体形成的第二树脂部件,所树树脂密封部件树脂密封布置在所述模塑模具的所述上模和所述下模之间的、所述布线衬底上方安装的所述半导体芯片;以及在所述布线衬底的厚度方向上,向第一树脂部件施加弯曲应力,由此在所述第一树脂部件上产生断裂,所述第一树脂部件通过所述第一树脂流动路径中留下的树脂与所述树脂密封部件一体地形成,其中所述模塑模具的所述第一树脂流动路径具有第一部分和第二部分,所述第一部分位于所述布线衬底的外侧,所述第二部分与所述第一部分和所述树脂密封部件形成部分连通并且位于所述布线衬底的所述主表面上方,以及其中所述第一树脂流动路径的所述第二部分和所述第二树脂流动路径距所述布线衬底的所述主表面的高度低于所述第一树脂流动路径的所述第一部分和所述树脂密封部件形成部分距所述布线衬底的所述主表面的高度。13.根据权利要求12的制造半导体器件的方法,其中所述第二树脂流动路径的一端与所述树脂密封部件形成部分连通,以及其中所述第二树脂流动路径的另一端在所述布线衬底的所述第二边的向内的位置处终止。14.根据权利要求13的制造半导体器件的方法,其中所述第二树脂流动路径的所述另一端与气孔连通。15.根据权利要求12的制造半导体器件的方法,其中以将薄膜粘...
【专利技术属性】
技术研发人员:河田洋一,仓富文司,
申请(专利权)人:株式会社瑞萨科技,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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