进行RTA控温测量的方法及其所用的测控晶片技术

本发明专利技术公开了一种进行ＲＴＡ控温测量的方法，该方法包括步骤：制备两种测控晶片，一种为低辐射率测控晶片，另一种为高辐射率测控晶片；同时应用低辐射率测控晶片和高辐射率测控晶片对ＲＴＡ设备进行测量。本发明专利技术还公开了一种上述方法中用的测控晶片，它通过改变晶片背面材质而形成。本发明专利技术的方法可兼顾辐射率低／高两端，更容易发现ＲＴＡ设备辐射率测算出现的问题，能更好地维护设备的稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及芯片制造
，尤其涉及一种进行RTA (Rapid Thermal Annealing,快速热退火)控温测量的方法。本专利技术还涉及进行 RTA控温测量专用的测控晶片。
技术介绍
业界现行通用的监测RTA设备稳定性的方法是，用经过离子植入的晶 片(简称测控晶片)，在RTA设备上作快速热处理，对掺杂的离子进 行激活，然后测量快速热处理后晶片的薄层电阻值。通过测得电阻值来反 映RTA控温的准确性和稳定性。测量阻值越高，则说明RTA温度越低，反之亦然。这种监测方式存在严重不足。因为RTA设备的测温是通过测量晶片背 面辐射率的方式来间接测量的，辐射率测量的准确性直接影响RTA系统测 温的准确性。然而产品晶片和测控晶片背面的辐射率不同，产品晶片由于 前层制成的不同，造成晶片背面覆盖的物质不同，所以晶片背面的辐射率 也各异，通常在0.4到0.95的范围内，而测控晶片背面性质比较单一， 辐射率比较恒定(通常在0.7到0.8的范围内)。所以现有方法只能监测 某一辐射率下RTA系统的温度测算的准确性，不能反映晶背辐射率多变的 产品晶片上温度测量的准确性。现有RTA测控方法对应的辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种进行ＲＴＡ控温测量的方法，其特征在于，包括如下步骤：（１）制备两种测控晶片，一种为低辐射率测控晶片，另一种为高辐射率测控晶片；（２）同时应用步骤（１）的低辐射率测控晶片和高辐射率测控晶片对ＲＴＡ设备进行测量。

【技术特征摘要】
1. 一种进行RTA控温测量的方法，其特征在于，包括如下步骤(1) 制备两种测控晶片， 一种为低辐射率测控晶片，另一种为高辐射 率测控晶片；(2) 同时应用步骤(1)的低辐射率测控晶片和高辐射率测控晶片对 RTA设备进行测量。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低辐射率测控晶片是 通过在晶片背面增加氮化硅层，使其辐射率降低至0. 35而制成。3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高辐射率测控晶片是 通过在晶片背面增加P0LY层，使其辐射率升高至0. 95而制成。...

【专利技术属性】
技术研发人员：许世勋，朱琳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]