具有稳定氧化硅层的样品制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有稳定氧化硅层的样品制备方法，可在较短的时间内完成具有稳定薄氧化硅层的测量样品的制备，而且在对膜厚测量仪的稳定性进行监控时，无需添加任何附加装置，而且能得到准确的监控结果。该方法包括以下步骤：在硅衬底上生长一层氧化硅层；在所述氧化硅层上淀积一层钝化层；将制得的硅片在大气中放置２～８天。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于监控膜厚测量仪器故障发生情况的样品制备方 法，尤其涉及一种用于监控膜厚测量仪器故障发生情况的具有稳定氧化硅 层的样品制备方法。
技术介绍
为了监控膜厚测量仪器是否发生故障，通常以如图la所示在衬底上 生长有薄氧化硅层的硅片作为样品，然后通过对所述薄氧化硅层的膜厚进 行稳定性测量的方法来实现的。但是，由于当薄氧化硅层暴露在大气环境 时，如图lb所示，该薄氧化硅层的表面会吸收大气中的水汽和有机杂质 (在附图中以椭圆表示)而形成自然氧化层，使得薄氧化硅层的膜厚增加， 由此影响了薄氧化硅层膜厚的稳定性，从而造成对膜厚测量仪器的稳定性 监控结果的不准确。在现有技术中一般采用以下两种方法来制备具有稳定薄氧化硅层的 样品第一种方法，参见图2a和图2b，由于膜厚的增加是因为薄氧化硅层 表面吸收了大气中的水汽和有机物造成的，因此通过对硅片进行加热的方 法，将水汽和有机物进行脱附，从而得到具有稳定膜厚的薄氧化硅层。由 于这种方法包括在测量设备中对硅片全面加热(Rudolph)和区域加热 (KT)，以及在工艺装置中加热(PVD Degas)，因此存在着如下缺点，即需要对现有的膜厚测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有稳定氧化硅层的样品制备方法，包括：在硅衬底上生长一层氧化硅层；其特征在于，还包括：在所述氧化硅层上淀积一层钝化层；将制得的硅片在大气中放置２～８天。

【技术特征摘要】
1、一种具有稳定氧化硅层的样品制备方法，包括在硅衬底上生长一层氧化硅层；其特征在于，还包括在所述氧化硅层上淀积一层钝化层；将制得的硅片在大气中放置2～8天。2、 根据权利要求l所述的具有稳定氧化硅层的样品制备方法，其特征 在于，所述氧化硅层的厚度范围为40A 300A。3、 根据权利要求l所述的具有稳定氧化硅层的样品制备方法，其特征 在于，所述钝化层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：王剑敏，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[]