分步化学机械抛光方法技术

本发明专利技术涉及一种分步化学机械抛光方法，其具体步骤为：第一步，采用具有多晶硅去除速率大于或等于２００Ａ／ｍｉｎ的化学机械抛光液去除大部分的多晶硅但不暴露多晶硅表面；第二步，在该抛光液中加入氧化剂后，对多晶硅表面以及随后暴露出来的多晶硅与二氧化硅表面进行抛光。该方法可避免表面碟形凹损缺陷，使晶片平坦度增高，并可同时增大晶片及抛光垫上的清洁度，使工艺更稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
在多晶硅的抛光过程中，通常会存在如下问题因为抛光速率选择比(多 晶硅/二氧化硅)过高，使得最后抛光过程停止在二氧化硅层上时，难免会有多晶硅的碟形凹损。如图1所示，图中a、 b分别为抛光前和抛光后的结构。且该问题会随着二氧化硅之间的沟槽宽度的增加而加重。这会对器件的性能 造成严重影响。因此，解决多晶硅抛光过程中表面碟形凹损缺陷、及去除问题至关重要。专利文献US2003153189公开了一种化学机械抛光的方法和抛光液的组成， 通过添加一种阴离子聚合物来减少氧化物沟槽内的多晶硅的碟形凹损，以及 降低生产成本。专利文献US6191039揭示了一种二步化学机械抛光方法，通 过控制第一步与第二步的pH值(9.5~10.5; 10.2- 10.35)的抛光方法，可以 降低化抛光的时间和成本，且有较好的平坦化效果。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决在多晶硅的抛光过程中，因抛光速率选择比 (多晶硅/二氧化硅)过高，使得最后抛光过程停止在二氧化硅层上时，出现 表面碟形凹损的问题，提供一种可降低表面碟形凹损缺陷率，使晶片平坦度 增高，并可同时增大晶片及抛光垫上的清洁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分步化学机械抛光方法，其特征在于：第一步骤用具有多晶硅去除速率大于或等于２００Ａ／ｍｉｎ的化学机械抛光液进行抛光，第二步骤在该抛光液中加入氧化剂进行抛光。

【技术特征摘要】
1.一种分步化学机械抛光方法，其特征在于第一步骤用具有多晶硅去除速率大于或等于200A/min的化学机械抛光液进行抛光，第二步骤在该抛光液中加入氧化剂进行抛光。2. 根据权利要求1所述的分步化学机械抛光方法，其特征在于所述的抛光 液包含至少一种研磨颗粒和水。3. 根据权利要求2所述的分步化学机械抛光方法，其特征在于所述的研磨颗粒选自下列七种中的一个或多个二氧化硅，三氧化二铝，二氧化铈，二氧化锆，碳化硅，聚四氟乙烯和聚苯乙烯。4. 根据权利要求2所述的分步化...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞昌，杨春晓，荆建芬，王麟，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]