晶圆上实现离子注入剂量和能量的匹配方法组成比例

本发明专利技术公开了一种在晶圆上实现的离子注入剂量和能量的匹配方法，涉及半导体制造领域。该匹配方法包括如下步骤：ａ．提供一片晶圆，划分为数个区域；ｂ．进行光照步骤，除选定区域外，其他区域被光刻胶覆盖；ｃ．对选定区域以第一条件的剂量和能量组合进行离子注入；ｄ．移除光刻胶；ｅ．继续进行步骤ｂ、ｃ、ｄ，直至所述晶圆的数个区域均进行过以不同条件的剂量和能量组合的离子注入；ｆ．测试所述数个区域的阻值，并与基准值比较，确定测试阻值最接近基准值的区域。与现有技术相比，本发明专利技术实现了在一片晶圆上进行匹配测试，降低了成本，另外，在一片晶圆上进行匹配测试，使各个区域的匹配测试的外界条件均是相同的，提高了匹配结果的精确度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域的制造技术，具体地说，涉及一种在晶圆上实现离 子注入剂量和能量的匹配方法。
技术介绍
离子注入制程是半导体制造领域的一项重要技术。离子注入的剂量和能量 均都会影响晶圆阻值的大小，所以在进行批量生产之前，都需要在测试晶圆上 进行离子注入剂量和能量匹配测试，找到最佳的注入剂量和能量。 一般离子注入剂量和能量匹配测试方法至少需要4片测试晶圆。现有的匹配方法详细描述 如下，选取三片测试晶圆，将其放置在预备机台上，以预设剂量、预设剂量的 90%和预设剂量的110%与预设能量的三种组合条件分别对三片测试晶圓进行离 子注入，所述预设剂量和预设能量是考虑到经验和目前设备的现有条件设置的 可能最佳值；将该三片晶圓放置在快速热处理炉中进行快速热退火处理，进一 步增强离子扩散，使得部分在离子注入过程中损伤的晶格得到一定程度的恢复； 对退火处理后的三片晶圆进行阻值测试，将测试的阻值数据与阻值基准值比较。 假如三片晶圓的阻值偏离基准值超过3%,就需要采用第四片晶圆，根据偏离值 的大小，在后备机台上微量改变离子注入能量和注入剂量，然后进行退火步骤 和测试阻值步骤，直至阻值偏离基准值小于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在晶圆上实现的离子注入剂量和能量的匹配方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：ａ．提供一片晶圆，划分为数个区域；ｂ．进行光照步骤，除选定区域外，其他区域被光刻胶覆盖；ｃ．对选定区域以第一条件的剂量和能量组合进行离子注入；ｄ．移除光刻胶；ｅ．循环进行步骤ｂ、ｃ、ｄ，直至所述晶圆的数个区域均进行过以不同条件的剂量和能量组合的离子注入；ｆ．测试所述数个区域的阻值，并与基准值比较，确定测试阻值最接近基准值的区域。

【技术特征摘要】
1.一种在晶圆上实现的离子注入剂量和能量的匹配方法，其特征在于，该方法包括如下步骤a.提供一片晶圆，划分为数个区域；b.进行光照步骤，除选定区域外，其他区域被光刻胶覆盖；c.对选定区域以第一条件的剂量和能量组合进行离子注入；d.移除光刻胶；e.循环进行步骤b、c、d，直至所述晶圆的数个区域均进行过以不同条件的剂量和能量组合的离子注入；f.测试所述数个区域的阻值，并与基准值比较，确定测试阻值最接近基准值的区域。2. 如权利要求1离子注入剂量和能量的匹配方法，其特征在于所述晶圓划分 为九个区i或。3. 如权利要求2所述的离子注入剂量和能量的匹配方法，其特征在于所述的 不同条件的剂量和能量分别是预设剂量、预设剂量的90%,预...

【专利技术属性】
技术研发人员：许世勋，袁燕，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]