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本发明公开了一种在晶圆上实现的离子注入剂量和能量的匹配方法，涉及半导体制造领域。该匹配方法包括如下步骤：ａ．提供一片晶圆，划分为数个区域；ｂ．进行光照步骤，除选定区域外，其他区域被光刻胶覆盖；ｃ．对选定区域以第一条件的剂量和能量组合进行离子...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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