【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造工艺中的校验膜厚测试，涉及标准硅片的制作方法， 具体地说，是一种校验膜厚测试机台用的标准硅片的制作方法。背景技木在半导体制程中，由于工艺需要，通常需在硅片基层(单晶硅)上生成一 层充当保护层或者直接作为器件一部分的氧化层，所述氧化层的厚度对后续工 艺操作或对器件的性能有着重要的影响，故需使用膜厚测试机台测试所述氧化 层的厚度来使氧化层的厚度受控，所述膜厚测试机台使用一段时间后通常会出 现漂移，此时就需要使用具有预定膜厚的标准硅片来校准所述膜厚测试机台， 通常所使用的标准硅片是在单晶硅片上直接生成一定厚度的氧化层，但是由于 氧化层易吸附灰尘、水分或有机物等致使所述标准硅片使用一段时间后其上的 氧化层厚度就偏离了预定厚度，再使用所述已经不准确的标准硅片去校验膜厚 测试机台，所述膜厚测试机台测试出来的膜厚值已不可靠，如此严重时会造成 很多器件的报废。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供，通过所述标准硅片制作方 法制作的标准硅片稳定性大大提高，故可长期使用，避免了需经常更换标准硅 片所造成的成本浪费，同时也提高了膜厚测试机台的可控性。本专利技...
【技术保护点】
一种标准硅片制作方法，其先在硅片基层上生成一校验层，其特征在于，所述方法还在校验层上生长一层性质稳定且不与校验层发生反应的的保护层。
【技术特征摘要】
1、一种标准硅片制作方法，其先在硅片基层上生成一校验层，其特征在于，所述方法还在校验层上生长一层性质稳定且不与校验层发生反应的的保护层。2、 如权利要求1所述的标准硅片制作方法，其特征在于，该校验层为Si02层。3、 如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：严博，方明海，陈淑美，吕秋玲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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