【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及一种。
技术介绍
现有工艺中，为了保证实际使用时机台的性能能够符合要求，通常需要在使用 前对机台的性能进行测试。比如，某一机台的功能是能够在硅片表面生长一层厚度为10 纳米(nm)的氧化物，那么，可在实际使用该机台前，利用测试硅片，或称为控片(control wafer)，对该机台进行测试，具体测试方式为利用该机台在控片的表面生长一层氧化物， 生长完毕后，测量控片上的氧化物的厚度是否符合要求，如果符合，则说明该机台的性能符 合要求。通常，在每次使用前均需要对机台进行测试，那么本着节省成本的原则，会对控片 进行重复使用，即在控片表面生长完氧化物并测量完氧化物的厚度之后，通过化学机械研 磨(CMP)等工艺，将控片表面的氧化物研磨掉，然后，再利用该控片进行下一次测试。另外，在实际应用中，会对控片本身的厚度有一定的要求，因为如果过薄的话，控 片就会变得很脆，从而容易在测试过程中损坏，而研磨过程虽然研磨的对象是氧化物，但 也不可避免地会研磨掉控片的一部分厚度，从而造成控片的厚度越来越小，因此，现有工艺 中，在每次研磨完毕后，均需要测...
【技术保护点】
一种硅片厚度测量方法，确定硅片的厚度和重量之间的函数关系式；当需要测量任一硅片的厚度时，该方法包括：测量该硅片的重量；利用确定出的函数关系式以及测量得到的硅片的重量，计算得到硅片的厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：简志宏，王志高，史萌，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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