一种P型太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术提供一种P型太阳能电池片，P型硅片、PN结、N型硅片及电极，其特征在于：所述P型硅片具有正面和背面，正面上设有多晶绒面结构，背面为平面结构，所述PN结和所述N型硅片依次镀在所述P型硅片正面上，所述电极依次穿过P型硅片、PN结和N型硅片形成电极回路，所述P型硅片的厚度为150微米～200微米，所述PN结的厚度为0.3微米～0.5微米，所述N型硅片的厚度为50微米～70微米，本实用新型专利技术P型硅片的多晶绒面结构，并在P型硅片与N型硅片之间形成一层PN结，由于多晶绒面结构的发射率的发射效率高，致使少子载流子寿命高，提高了光电转换效率、降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

:本技术涉及太阳能电池，尤其是一种P型太阳能电池片。
技术介绍
:传统的太阳能电池通常是采用通过恒温，氧化，低温扩散，恒温扩散，高温扩散，降温等方法在硅片的正面和背面都制备银电极，然而这种太阳能电池仍然存在光电转换效率较低、生产效率低、成本高等缺点的问题。因此，本技术在此提出一种改进的一种P型太阳能电池片。
技术实现思路
:针对现有技术中存在的缺陷，本技术的目的就是提供一种能够降低生产成本、转换效率高的一种P型太阳能电池片。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种P型太阳能电池片，P型硅片、PN结、N型硅片及电极，其特征在于:所述P型硅片具有正面和背面，正面上设有多晶绒面结构，背面为平面结构，所述PN结和所述N型硅片依次镀在所述P型硅片正面上，所述电极依次穿过P型硅片、PN结和N型硅片形成电极回路，所述P型硅片的厚度为150微米?200微米，所述PN结的厚度为0.3微米?0.5微米，所述N型硅片的厚度为50微米?70微米。采用以上技术方案，本技术P型硅片的多晶绒面结构，并在P型硅片与N型硅片之间形成一层PN结，由于多晶绒面结构的发射率的发射效率高，致使少子载流子寿命高，提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P型太阳能电池片，P型硅片(1)、PN结(2)、N型硅片(3)及电极(4)，其特征在于：所述P型硅片(1)具有正面和背面，正面上设有多晶绒面结构，背面为平面结构，所述PN结(2)和所述N型硅片(3)依次镀在所述P型硅片(1)正面上，所述电极(4)依次穿过P型硅片(1)、PN结(2)和N型硅片(3)形成电极回路，所述P型硅片的厚度为150微米～200微米，所述PN结(2)的厚度为0.3微米～0.5微米，所述N型硅片(3)的厚度为50微米～70微米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈德榜，
申请(专利权)人：温州海旭科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33