温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种标准硅片制作方法。现有的用以校验膜厚测试机台的标准硅片因校验层直接暴露在空气中易被污染致使其无法准确校验测试机台。本发明的标准硅片制作方法，首先在硅片基层上生成一校验层，接着在校验层上生长一层性质稳定且不与校验层发生反应的保护...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。