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本发明公开了一种具有稳定氧化硅层的样品制备方法，可在较短的时间内完成具有稳定薄氧化硅层的测量样品的制备，而且在对膜厚测量仪的稳定性进行监控时，无需添加任何附加装置，而且能得到准确的监控结果。该方法包括以下步骤：在硅衬底上生长一层氧化硅层；在...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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