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本发明公开了一种进行ＲＴＡ控温测量的方法，该方法包括步骤：制备两种测控晶片，一种为低辐射率测控晶片，另一种为高辐射率测控晶片；同时应用低辐射率测控晶片和高辐射率测控晶片对ＲＴＡ设备进行测量。本发明还公开了一种上述方法中用的测控晶片，它通过改...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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