【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成光刻胶图案的方法，包括：提供一半导体基底，在所述半导体基底上形成有第一介质层及第二介质层；在所述第二介质层及第一介质层中形成连接孔；对所述形成有连接孔的半导体基底进行烘烤；在所述连接孔中及第二介质层上形成牺牲层；在所述牺牲层上旋涂光刻胶并形成沟槽图案。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汪钉崇，蓝受龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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