【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件中金属硅化物接触的制造方法，包括：提供一具有器件层的半导体基底；对所述半导体基底表面进行烘烤；将所述半导体基底表面曝露于低于烘烤温度的惰性气体、还原性气体环境或真空中冷却；在所述半导体基底表面形成金属层；对所述金属层进行退火；选择性刻蚀所述金属层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡宇慧，杨瑞鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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