半导体用粘合剂组合物和粘合剂膜及半导体器件制造方法技术

本申请公开了一种用于半导体的粘合剂组合物。所述粘合剂膜包括酚类固化剂、胺类固化剂、以及基于所述用于半导体的粘合剂膜的总固体含量的60wt％至80wt％的热塑性树脂，并在150℃固化20分钟之后具有2MPa或更高的储能模量和50%或更高的反应固化率。还公开了一种使用所述粘合剂组合物制备的用于半导体的粘合剂膜和半导体器件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于半导体的粘合剂组合物和包含所述粘合剂组合物的粘合剂膜。更具体地，本专利技术涉及一种用于半导体的粘合剂膜，其中包括酚类固化剂、胺类固化剂、以及基于所述用于半导体的粘合剂膜的总固体含量的60至80重量百分比(wt%)的热塑性树脂，并在150°C固化20分钟之后具有2MPa或更大的储能模量和的50%或更大的反应固化率。
技术介绍
虽然银浆料通常已用于使半导体器件彼此相连或连接至支承构件上，但随着半导体器件不断增长的尺寸减小和高容量的趋势，支承构件也需要具有小尺寸和紧凑的结构。银浆料具有例如由半导体器件的突起或倾斜所引起的引线接合故障、产生气泡和厚度控制困难等的问题。因此，近年来有使用粘合剂膜代替银浆料的趋势。用于半导体装配的粘合剂膜通常与切割膜一起使用，切割膜是指在一系列半导体芯片的制造过程中在切割时用于固定半导体晶圆的膜。切割是分割半导体晶圆成为单个芯片的处理过程，随后进行展开处理、拾取处理等。在切割时，从切割膜上移除的PET覆膜堆叠在粘合剂膜上以形成用于半导体装配的作为粘合剂的单个膜，将半导体晶圆放置在所述膜上，随后使用圆形的金刚石刀片锯割。近年来，使用激光束辐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体的粘合剂膜，所述粘合剂膜包括：酚类固化剂、胺类固化剂、以及基于所述粘合剂膜的总固体含量的60wt％至80wt％的热塑性树脂，所述粘合剂膜在150℃固化20分钟之后具有2MPa或更大的储能模量和50%或更高的反应固化率。

【技术特征摘要】
2011.12.06 KR 10-2011-01295221.一种用于半导体的粘合剂膜，所述粘合剂膜包括:酚类固化剂、胺类固化剂、以及基于所述粘合剂膜的总固体含量的60￥1:%至80wt%的热塑性树脂,所述粘合剂膜在150°C固化20分钟之后具有2MPa或更大的储能模量和50%或更高的反应固化率。2.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述粘合剂膜在150°C固化20分钟且在175°C模制120秒之后具有10%或更少的孔隙面积比。3.根据权利要求1所述的粘合剂膜，其中所述胺类固化剂包括选自由下列通式I至5表示的化合物中的至少一种胺化合物: [通式1]4.根据权利要求1至3中任何一项所述的粘合剂膜，其中所述酚类固化剂和所述胺类固化剂的重量比为3:1至1:11。5.根据权利要求1至3中任何一项所述的粘合剂膜，进一步包括:固化促进剂。6.根据权利要求5所述的粘合剂膜，其中所述固化促进剂具有100°C至160°C的熔点。7.根据权利要求5所述的粘合剂膜，其中所述固化促进剂包括选自三聚氰胺、咪唑和磷促进剂中的至少一种。8.根据权利要求1至3中任何一项所述的粘合剂膜，进一步包括硅烷偶联剂。9.一种用于半导体的粘合剂组合物，基于所述用于半导体的粘合剂组合物的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相珍，魏京台，崔裁源，金相均，金哲洙，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：