用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法技术

本发明专利技术公开了用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法。用于硬掩模组合物的单体，由下面化学式1表示，其中在化学式1中，A

Monomers for hard mask compositions and hard mask compositions comprising monomers and methods of forming patterns using hard mask compositions

The present invention discloses a monomer for hard mask compositions and a hard mask composition comprising a monomer and a method of forming patterns using hard mask compositions. A monomer used in a hard mask composition is represented by a chemical formula 1 below, wherein A is in the chemical formula 1

【技术实现步骤摘要】
用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法相关申请的引用本申请要求于2012年12月27日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请号10-2012-0155330的优先权和权益，其全部内容引入本文以供参考。
公开了用于硬掩模组合物的单体，包含所述单体的硬掩模组合物，以及使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。
技术介绍
最近，半导体工业已开发出具有数纳米至几十纳米尺寸图案的超细技术。这种超细技术基本上需要高效的光刻技术。所述典型的光刻技术包括在半导体衬底上提供材料层；在其上涂覆光致抗蚀剂层；对其曝光和显影以提供光致抗蚀剂图案；并使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻所述材料层。如今，根据有待形成的图案的小尺寸，仅通过上述典型的光刻技术很难提供具有优异轮廓的精细图案。因此，可以在所述材料层和所述光致抗蚀剂层之间形成一种层，称为硬掩模层，从而提供精细图案。最近，已建议使用旋涂来形成硬掩模层的方法（替代化学气相沉积）。所述硬掩模层起到通过选择性蚀刻过程，将光致抗蚀剂的精细图案转移至所述材料层的中间层的作用。因此，需要所述硬掩模层具有多种特性，例如耐化学性，和耐蚀刻性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于硬掩模组合物的单体，其中所述单体由下面化学式1‑1、1‑2、1‑3、1‑4、1‑5，或1‑6之一来表示：[化学式1‑1]

【技术特征摘要】
2012.12.27 KR 10-2012-01553301.一种用于硬掩模组合物的单体，其中所述单体由下面化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5，或1-6之一来表示：[化学式1-1][化学式1-2][化学式1-3][化学式1-4][化学式1-5][化学式1-6]其中，在所述化学式1-1、1-2、1-3、1-4、1-5、和1-6中，L1a、L1b、L1c、L1d、L1e、L1f、L2a、L2b、L2c、L2d、L2e、L2f、L1a′、L1b′、L1c′、L1d′、L1e′、L1f′、L2a′、L2b′、L2c′、L2d′、L2e′和L2f′为单键，以及X1a、X1b、X1c、X1d、X1e、X1f、X2a、X2b、X2c、X2d、X2e和X2f各自独立地为氢、羟基，或取代的或未取代的C1至C30烷氧基，术语“取代的”是指用选自以下的至少一个取代基来取代化合物的氢：卤素、羟基、硝基、氰基、氨基、叠氮基、脒基、肼基、亚肼基、羰基、氨甲酰基、硫醇基、羧基或其盐、磺酸基或其盐、磷酸基或其盐、C1至C20烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔基、C6至C30芳基、C7至C30芳烷基、C1至C4烷氧基、C1至C20杂烷基、C3至C20杂芳烷基、C3至C30环烷基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：李圣宰，田桓承，赵娟振，李哲虎，李忠宪，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR