一种提高芯片亮度的方法技术

本发明专利技术涉及一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与硅热沉芯片贴合，其特征在于，将倒装焊芯片的出光表面－蓝宝石衬底和透明电极氧化铟锡的表面制作光子晶体结构，光子晶体结构有助于降低全反射，从而使得出光亮度提高，使得光取出效率提升５０％－９０％，在３５０毫安的电流驱动下可以得到比一般倒装焊芯片多出９０％的亮度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片（８）的电极与硅热沉芯片（９）贴合，其特征在于，在倒装焊芯片（８）的蓝宝石衬底（１０）的表面（１１）上制作光子晶体，其方法为：（１）首先在倒装焊芯片（８）的蓝宝石衬底（１０）的表面（１１）上贴一层０．２微米－０．８微米厚的保护膜层；（２）然后在保护膜层上涂布光刻胶，用激光曝光机对光刻胶曝光；（３）在光刻胶的保护下通过电感偶合式反应离子刻蚀机刻蚀保护膜层，达到在蓝宝石衬底的表面形成光子晶体结构（１３），即圆柱形小岛的间距ａ为０．４微米－１．２微米，圆柱体的高ｂ为０．２微米－０．８微米，圆柱体的直径ｃ为０．２微米－１．０微米；或晶体结构（１４），即圆柱形洞的间距ｆ为０．４微米－１．２微米，圆柱形洞的深度ｅ为０．２微米－０．８微米，圆柱形洞的直径ｄ为０．２微米－１．０微米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯雅清，叶国光，梁伏波，朱思远，黄力伟，
申请(专利权)人：上海蓝宝光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]