一种提高芯片亮度的方法技术

本发明专利技术涉及一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与硅热沉芯片贴合，其特征在于，将倒装焊芯片的衬底表面粗糙化，表面粗糙有助于降低全反射，而粗糙化后发光面积增加，从而使得出光亮度提高，使得发光效率提升３０％左右，而另一个降低全反射增加出光效率的方法就是四分之波长抗反射镀膜，镀膜材料折射率需介于蓝宝石与空气之间，利用氧化铟锡ＩＴＯ、二氧化硅ＳｉＯ↓［２］或氮化硅Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］这些材料做抗反射镀膜，可将出光效率再增加２０％，而最后我们将两种方法同时利用粗糙化加氧化铟锡ＩＴＯ、二氧化硅ＳｉＯ↓［２］或氮化硅Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］四分之波长抗反射镀膜，在５００毫安的电流驱动下可以得到比一般倒装焊芯片多出５０％的光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及尤其涉及一种将芯片衬底表面粗糙化从而提高芯片亮度的方法。
技术介绍
所谓的发光二极管(LED)就是将具备直接能隙的半导体材料做成P/N二极管，在热平衡的条件下，大部份的电子没有足够的能量跃升至导电带。再施以顺向徧压，则电子会跃升至导电带，而电子在原价键带上的原位置即产生空穴。在适当的徧压下，电子、空穴便会在P/N界面区域(P-N Juetion)结合而发光，电源的电流会不断的补充电子和空穴给N型半导体和P型半导体，使得电子、空穴结合而发光得以持续进行。LED发光的原理是电子和空穴的结合，电子所带的能量，以光的形式释放出来，称为自发放射。一般LED所放出的光便是属于此种类型。一般传统的发光二极管LED制作方法是在衬底上外延成长单晶材料结构，通常是负型半导体材料、发光层与正型半导体材料，随着材料与结构的不同，所发出的光颜色也有了变化，例如氮化镓通常用于蓝光与绿光的材料，而且衬底与材料结构有很大的差别，蓝绿与紫光通常以绝缘的蓝宝石为衬底外延铟镓氮结构，而蓝宝石不导电所以蓝绿光制程较复杂，且正负电极都在正面，外延制程后还要经过电极的制作、负极区域的刻蚀、芯片表面的光刻与清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片（８）的电极与硅热沉芯片（９）贴合，其特征在于，将倒装焊芯片（８）的衬底表面（１０）粗糙化，其方法为：用钻石粉将倒装焊芯片（８）的衬底表面（１０）磨成粗糙。

【技术特征摘要】
1.一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片(8)的电极与硅热沉芯片(9)贴合，其特征在于，将倒装焊芯片(8)的衬底表面(10)粗糙化，其方法为用钻石粉将倒装焊芯片(8)的衬底表面(10)磨成粗糙。2.一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片(8)的电极与硅热沉芯片(9)贴合，其特征在于，将倒装焊芯片(8)的衬底表面(10)粗糙化，其方法为2.1首先在倒装焊芯片(8)的衬底表面(10)贴一层四分之波长抗反射镀膜(11)；2.2然后利用电感偶合式反应离子刻蚀机(ICP-RIE)使用反应离子化学刻蚀的方法将反应气体刻蚀四分之波长抗反射镀膜(11)表面。3.根据权利要求2所述的一种提高芯片亮度的方法，其特征在于，所述的反应气体是氯气、三氯化硼或甲烷。4.根据权利要求2所述的一种提高芯片亮度的方法，其特征在于，所述的方法为4.1首先在倒装焊芯片(8)的衬底表面(10)贴一层四...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯雅清，陈明法，朱思远，
申请(专利权)人：上海蓝宝光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]