【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种制成发光二极管的。
技术介绍
所谓的发光二极管(LED)就是将具备直接能隙的半导体材料做成正负P/N二极管，在热平衡的条件下，大部份的电子没有足够的能量跃升至导电带，再施以顺向徧压，则电子会跃升至导电带，而电子在原价电带上的原位置即产生空穴。在适当的徧压下，电子、空穴便会在P/N界面区域(P-N Juction)结合而发光，电源的电流会不断的补充电子和空穴给N型半导体和P型半导体，使得电子、空穴结合而发光持续进行。LED发光的原理是电子和空穴的结合，电子所带的能量，以光的形式释放出来，称为自发放射。一般LED所放出的光便是属于此种类型。自从成功地开发出半导体发光器件的发光二极管(LEDlight emitting diode)，各单位无不往″高亮度″及″光线种类多″的方向迈进。目前除了红、绿、黄、橙、蓝各种不同的小面积LED芯片之外，大功率与高演色性LED也在各机构做大量的研发，利用半导体产生三原色光(RGB)做白光的应用，逐渐的将发光二极管的应用扩大，从电子器件的应用推广到照明，而对红绿蓝三色搭配的应用也因为大功率芯片的开发而...
【技术保护点】
一种红绿蓝三芯片集成于硅芯片的方法，其特征在于，将红绿蓝发光集成芯片（２）采用粘合材料（３）固晶于发光二极管封装用基板（１）上。
【技术特征摘要】
1.一种红绿蓝三芯片集成于硅芯片的方法，其特征在于，将红绿蓝发光集成芯片(2)采用粘合材料(3)固晶于发光二极管封装用基板(1)上。2.根据权利要求1所述的红绿蓝三芯片集成于硅芯片的方法，其特征在于，所述的红绿蓝发光集成芯片(2)为红光发光二极管芯片(4)、蓝光发光二极管芯片(5)、绿光发光二极管芯片(6)三个颜色芯片采用倒装焊置于同一个集成硅基片芯片(7)上，其方法为首先采用倒装焊将蓝光发光二极管芯片(5)、绿光发光二极管芯片(6)置于集成硅基片芯片(7)上，然后将红光发光二极管芯片(4)正电极在上置于集成硅基片芯片(7)上，红光发光二极管芯片(4)、蓝光发光二极管芯片(5)、绿光发光二极管芯片(6)三个颜色芯片呈三角形，且各自正极焊在焊点位置(10、11、8)上，负极集中焊在焊点位置(9)上。3.根据权利要求1所述的红绿蓝三芯片集成于硅芯片的方法，其特征在于，所述的红绿蓝发光集成芯片(2)为红光发光二极管芯片(4)、蓝光发光二极管芯片(5)、绿光发光二极管芯片(6)三个颜色芯片采用倒装焊置于同一个集成硅基片芯片(7)上，其方法为首先采用芯片贴合的方法将红光发光二极管芯片(4)负电极在上置于集成硅基片芯片(7)上，然后采用倒装焊将蓝光发光二极管芯片(5)、绿光发光二极管芯片(6)置于集成硅基片芯片(7)上，红光发光二极管芯片(5)、蓝光发光二极管芯片(6)、绿光发光二极管芯片(7)三个颜色芯片呈三角形，且各自负极焊在焊点位置...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯雅清，陈明法，黄力伟，梁伏波，
申请(专利权)人：上海蓝宝光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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