【技术实现步骤摘要】
—种娃芯片研磨剂
[0001 ] 本专利技术涉及一种硅芯片研磨剂。
技术介绍
在半导体芯片的加工制造过程中，随着采用嵌入式(damascene)工序(一种费用相当便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件结构的工序)的逐步普及，对芯片中的金属导线进行化学机械研磨(CMP, chemical mechanical planarizat1n)抛光亦变得必不可少。钨以其极好的对通孔和沟槽的填充性能、低的电子迁移和电阻以及优异的耐腐蚀性，被广泛地用于半导体芯片加工制造的工艺过程中。如作为金属触点、通孔导线和层间互连线等。传统上，钨可以采用等离子体的方法刻蚀，称作钨回蚀。不过，钨回蚀是一种成本高且会造成较大环境污染的工艺。与此相反，钨的C如:Ip工艺，在成本和环保两方面要好得多。尤其重要的是，采用CMP的钨抛光方法，有助于提高嵌入式工序对芯片的配线密度，进而获得更高的芯片性能。因此，在半导体制造业中，钨CMP己迅速成为一种被广泛使用的技术。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种硅芯片研磨剂。 为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是:一种硅芯片研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:椰油酰单乙醇胺8-16份，二甲苯磺酸钠9-20份 ，处理剂2-5份，二氧化钛8-13份，三乙胺8-12份，酒石酸11-20份，甲基硅油3-7份，硅藻土 4-12份，硼酸钠11-14份，聚丙烯3-4份，线性低密度聚乙烯8-13份，磷酸二氢钾8-14份，甲基丙烯酸甲酯9-17份，片层结构的云母粉5-7份，空心玻璃微珠5-8 份。 本专利技术...
【技术保护点】
一种硅芯片研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：椰油酰单乙醇胺8‑16份，二甲苯磺酸钠9‑20份，处理剂2‑5份，二氧化钛8‑13份，三乙胺8‑12份，酒石酸11‑20份，甲基硅油3‑7份，硅藻土4‑12份，硼酸钠11‑14份，聚丙烯3‑4份，线性低密度聚乙烯8‑13份，磷酸二氢钾8‑14份，甲基丙烯酸甲酯9‑17份，片层结构的云母粉5‑7份，空心玻璃微珠5‑8份。
【技术特征摘要】
1.一种硅芯片研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质:椰油酰单乙醇胺8-16份，二甲苯磺酸钠 9-20份，处理剂2-5份，二氧化钛8-13份，三乙胺8-12份，酒石酸11-20份，甲基硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：范向奎，
申请(专利权)人：青岛宝泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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