发光单元制造技术

技术编号:3181432 阅读:126 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术是有关于一种发光单元,包括一发光二极管封装模块以及一光学薄膜。发光二极管封装模块包括一承载体、一第一晶粒以及一第二晶粒,第一晶粒及第二晶粒设置于承载体,发光二极管封装模块是用以发出一目标波峰波长,第一晶粒具有一第一波峰波长,第一波峰波长大于目标波峰波长,第二晶粒具有一第二波峰波长,第二波峰波长小于目标波峰波长,第一波峰波长与第二波峰波长是属于同一色系,其中第一晶粒与第二晶粒相距一第一距离。光学薄膜邻设于发光二极管封装模块,光学薄膜具有一可视区,发光二极管封装模块与可视区或与可视区的边缘具有最短的一第二距离,第一距离小于第二距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光单元(LIGHT EMITTING UNIT),特别是涉及一种具有发光二极管的发光单元。
技术介绍
发光二极管是由半导体材料所制成的发光组件,组件具有两个电极端子,在端子间施加电压,通入极小的电压,经由电子电洞的结合,则可将剩余能量以光的形式激发释出。不同于一般白炽灯泡,发光二极管属冷发光,具有耗电量低,组件寿命长、无须暖灯时间、反应速度快等优点。再加上其体积小、耐震动、适合量产,容易配合应用上的需求制成极小或数组式的组件。目前发光二极管已普遍使用于照明、信息、通讯、消费性电子产品的指示器及显示装置上,成为日常生活中不可或缺的重要组件。近来,发光二极管更被应用作为液晶显示器(Liquid crystal Display,LCD)中背光模块的背光源,并有逐渐取代传统冷阴极荧光灯管的趋势。请参阅图1所示,现有技术中以发光二极管作为光源的背光模块1,具有一壳体11、至少一光学薄膜12、一承载板13以及复数发光二极管封装模块20。其中,复数发光二极管封装模块20是设置于承载板13上。请参阅图2及图3所示,发光二极管组件21的基板211是设置于散热座212以利散热,而晶粒213设置于基板211经由打线接合至导线架214,以使晶粒(Die)213借由导线架214而与其它组件电性连接。由图中可知,发光二极管的晶粒213先设置于基板211后,再安装在散热座212上而完成封装。加上打线接合的制程,因此发光二极管组件21的制作过程是相当复杂。然而,发光二极管封装模块中的晶粒213通常是利用半导体制程的磊晶(Epitaxy)制程来制造,其中,晶粒213发光的波长是由磊晶层的材料来决定,因此磊晶制程是发光二极管制程中,成本最高的一部份。虽然在制造过程中,晶圆是经过相同的制程控制以使全部的晶粒213发出一目标颜色的光。但是,通常同一批次所制造出来的复数晶粒213,甚至是同一晶圆上的复数晶粒213,都可能具有相当大的波长变化(wavelength length variation)。例如同一批次的晶粒213的目标颜色为绿色,但是可能其中一个晶粒发出的光波峰波长为500nm,另一个晶粒却可能发出的光波峰波长为506nm。然而,在某些应用领域中,例如是液晶显示器的背光模块、或是汽车的高级车灯中,常需要复数波长几乎一致的发光二极管封装模块。因此,晶粒的波峰波长是会被严格要求的。也就是说,不论是同一批次生产出的复数晶粒、或是同一晶圆上的复数晶粒,唯有落入一狭小的波峰波长范围者,才符合业者的质量控管标准,可被挑选成为良品而应用于产品中。其它在波长范围之外的晶粒,往往成为不良品,无法使用。如此一来,晶圆上所有的晶粒则无法完全使用,晶粒利用率不高,使得发光二极管封装模块的生产成本居高不下,进而使得背光模块的成本也相当昂贵。由此可见,上述现有的发光单元在结构与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,晶圆上的发光二极管晶粒利用率不高,并造成背光模块生产成本居高不下,因此亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的发光单元,便成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的发光单元存在的缺陷,本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识,并配合学理的运用,积极加以研究创新,以期创设一种新型的发光单元,能够改进一般现有的发光单元,使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于,克服现有的发光单元存在的缺陷,而提供一种新型的发光单元,所要解决的技术问题是使其包括至少一发光二极管封装模块,发光二极管封装模块包括两个发光二极管晶粒以发出一目标波峰波长,提高晶圆上的发光二极管晶粒的利用率,并降低背光模块的生产成本,从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种发光单元,其包括一发光二极管封装模块,包括一承载体、一第一晶粒以及一第二晶粒,该第一晶粒及该第二晶粒设置于该承载体,该发光二极管封装模块是用以发出一目标波峰波长,该第一晶粒具有一第一波峰波长,该第一波峰波长大于该目标波峰波长,该第二晶粒具有一第二波峰波长,该第二波峰波长小于该目标波峰波长,该第一波峰波长与该第二波峰波长是属于同一色系,其中该第一晶粒与该第二晶粒相距一第一距离;以及一光学薄膜,邻设于该发光二极管封装模块,该光学薄膜具有一可视区,该发光二极管封装模块与该可视区或与该可视区的边缘具有最短的一第二距离,该第一距离是小于该第二距离。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的发光单元,其中所述的第一晶粒与该第二晶粒是同时或不同时发光。前述的发光单元,其中所述的第一波峰波长与该第二波峰波长的差值小于50nm。前述的发光单元,其中所述的第一波峰波长与该第二波峰波长的差值小于30nm。前述的发光单元,其中所述的目标波长与该第一波峰波长的差值,不等于该目标波长与该第二波峰波长的差值。前述的发光单元,其中所述的目标波长与该第一波峰波长的差值,等于该目标波长与该第二波峰波长的差值。前述的发光单元,其中所述的第一晶粒与该第二晶粒的发光强度不同。前述的发光单元,其中所述的目标波峰波长约介于615nm至650nm之间。前述的发光单元,其中所述的目标波峰波长约介于515nm至555nm之间。前述的发光单元,其中所述的目标波峰波长约介于455nm至485nm之间。前述的发光单元,其中所述的发光二极管封装模块更包括一第三晶粒,其具有一第三波峰波长,该第一波峰波长、该第二波峰波长以及该第三波峰波长是属于该色系。前述的发光单元,其中所述的第三波峰波长大于该第一波峰波长,该第三波峰波长与该第二波峰波长的差值小于50nm。前述的发光单元,其中所述的第三波峰波长是小于该第二波峰波长,该第一波峰波长与该第三波峰波长的差值是小于50nm。前述的发光单元,其中所述的第三晶粒与该第一晶粒相距一第三距离,该第三距离是小于该第二距离。前述的发光单元,其更包括另一发光二极管封装模块,是邻设于该发光二极管封装模块。借由上述技术方案,本专利技术发光单元至少具有下列优点依本专利技术的一种发光单元包括至少一发光二极管封装模块以及一光学薄膜,其中发光二极管封装模块包括两个发光二极管晶粒以发出一目标波峰波长。与现有技术相比,发光二极管封装模块具有第一晶粒及第二晶粒,且第一波峰波长与第二波峰波长是属于同一色系,第一晶粒与第二晶粒相距一第一距离,而发光二极管封装模块与可视区或与可视区的边缘具有最短的一第二距离,其中第一距离小于第二距离。如此一来,本专利技术的发光单元可借由挑选具有适当匹配波长的复数晶粒,也就是可组合出目标波峰波长的复数晶粒,将两个以上的复数晶粒封装在一起而形成发光二极管封装模块。因此,各个发光二极管的封装模块可使人眼在目标波峰波长处,感受到宛如二颗具有目标波峰波长的发光二极管的发光强度。另外,借由挑选匹配晶粒的过程,封装业者即可放宽良品晶粒的波峰波长的范围,进而能提升同一晶圆或同一批次晶圆的本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种发光单元,其特征在于其包括:一发光二极管封装模块,包括一承载体、一第一晶粒以及一第二晶粒,该第一晶粒及该第二晶粒设置于该承载体,该发光二极管封装模块是用以发出一目标波峰波长,该第一晶粒具有一第一波峰波长,该第一波峰波长大于该目标 波峰波长,该第二晶粒具有一第二波峰波长,该第二波峰波长小于该目标波峰波长,该第一波峰波长与该第二波峰波长是属于同一色系,其中该第一晶粒与该第二晶粒相距一第一距离;以及一光学薄膜,邻设于该发光二极管封装模块,该光学薄膜具有一可视区,该 发光二极管封装模块与该可视区或与该可视区的边缘具有最短的一第二距离,该第一距离是小于该第二距离。

【技术特征摘要】
1.一种发光单元,其特征在于其包括一发光二极管封装模块,包括一承载体、一第一晶粒以及一第二晶粒,该第一晶粒及该第二晶粒设置于该承载体,该发光二极管封装模块是用以发出一目标波峰波长,该第一晶粒具有一第一波峰波长,该第一波峰波长大于该目标波峰波长,该第二晶粒具有一第二波峰波长,该第二波峰波长小于该目标波峰波长,该第一波峰波长与该第二波峰波长是属于同一色系,其中该第一晶粒与该第二晶粒相距一第一距离;以及一光学薄膜,邻设于该发光二极管封装模块,该光学薄膜具有一可视区,该发光二极管封装模块与该可视区或与该可视区的边缘具有最短的一第二距离,该第一距离是小于该第二距离。2.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于其中所述的第一晶粒与该第二晶粒是同时或不同时发光。3.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于其中所述的第一波峰波长与该第二波峰波长的差值小于50nm。4.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于其中所述的第一波峰波长与该第二波峰波长的差值小于30nm。5.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于其中所述的目标波长与该第一波峰波长的差值,不等于该目标波长与该第二波峰波长的差值。6.根据权利要求1所述的发光单元,其特征在于其中所述的目标波长与该第一波峰波长的差值,等于该目标波长与该第二波...

【专利技术属性】
技术研发人员:林峰立
申请(专利权)人:启萌科技有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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