GaN基半导体发光元件及其制作方法技术

一种ＧａＮ基半导体发光元件，其中压电自发极化在有源层的厚度方向被抑制同时降低了发光二极管的驱动电压。ＧａＮ基半导体发光元件包括在层中顺序地形成的具有与Ａ面平行的顶面的第一导电类型的第一ＧａＮ基化合物半导体层（２１）、具有与Ａ面平行的顶面的有源层（２２）、具有与Ａ面平行的顶面的第二导电类型的第二ＧａＮ基化合物半导体（２３）以及由ＧａＮ基化合物半导体组成的具有与Ａ面平行的顶面的接触层（２４）。第一电极（２５）形成于第一ＧａＮ基化合物半导体层（２１）上，和第二电极（２６）形成于接触层（２４）上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种制作ＧａＮ基半导体发光元件的方法，包括步骤：（ａ）在蓝宝石衬底的Ｒ面上形成多个种子层，所述种子层由ＧａＮ基化合物半导体组成并彼此分离；（ｂ）从所述种子层由侧向外延生长形成第一下垫ＧａＮ基化合物半导体层，每个所述第一下垫Ｇ ａＮ基化合物半导体层具有平行于Ａ面的顶面；（ｃ）形成掩模层，每个所述掩模层布置于对应的一个所述第一下垫ＧａＮ基化合物半导体层于所述种子层上方的顶面的部分上；（ｄ）从所述第一下垫ＧａＮ基化合物半导体层的顶面由侧向外延生长形成第 二下垫ＧａＮ基化合物半导体层，每个所述第二下垫ＧａＮ基化合物半导体层布置于对应的一个所述第一下垫ＧａＮ基化合物半导体层的顶面上和布置于对应的一个所述掩模层上，每个所述第二下垫ＧａＮ基化合物半导体层具有平行于Ａ面的顶面；（ｅ）在所述第 二下垫ＧａＮ基化合物半导体层上形成具有第一导电类型并具有平行于Ａ面的顶面的第一ＧａＮ基化合物半导体层；（ｆ）在所述第一ＧａＮ基化合物半导体层上形成顶面平行于Ａ面的有源层；（ｇ）在所述有源层上形成具有第二导电类型并具有平行于Ａ 面的顶面的第二ＧａＮ基化合物半导体层；以及（ｈ）在所述第二ＧａＮ基化合物半导体层上形成由ＧａＮ基化合物半导体组成并具有平行于Ａ面的顶面的接触层。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥山浩之，琵琶刚志，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]