光半导体器件和光半导体器件的制造方法技术

在光半导体器件（１Ａ）中，包括：具有凹部（２ａ）的基体（２）；设置在凹部（２ａ）内、发射光的发光元件（３）；设置在基体（２）内并覆盖凹部２ａ的侧面、抑制由发光元件３发射的光向凹部２ａ的侧面入射的抑制构件４；设置在凹部２ａ内、密封发光元件３的透光性构件５。本发明专利技术提供能在抑制成本的同时，防止基体的光恶化引起的亮度下降的光半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有发光元件的光半导体器件以及该光半导体器件 的制造方法。
技术介绍
光半导体器件作为照明或显示装置等各种装置的光源在广泛的领域中使用。作为该光半导体器件，提出把由发光元件发射的光、和 由该光激励的荧光体所发射的光合在一起，以取得白色光的光半导体 器件(例如，参照专利文献l)。该光半导体器件具有发光二极管(LED)等发光元件、以及容纳 该发光元件的具有杯状的凹部的基体。在该凹部设置密封发光元件的 透光性构件。须指出的是，基体由模塑树脂模塑成形。此外，透光性 构件由混合有粒子状的荧光体的透光性树脂材料形成。在这样的光半导体器件中，从发光元件发射的光的一部分通过透 光性构件出射，另一部分由凹部的侧面(侧壁)反射并出射。这时， 向凹部的侧面入射的光由基体反射或者吸收。须指出的是，光的反射 率依存于入射的光的波长， 一般波长短者反射率降低。这里，为了提高反射率，在基体的模塑树脂中混入Ti02等反射 填料。这时的紫外区域的反射率是10%以下。因此，为了使紫外区域 的反射率也提高，提出只对基体的树脂的局部、即凹部的侧面镀银的 光半导体器件。此外，为了防止基体的光恶化，作为基体，使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光半导体器件，其特征在于，包括：具有凹部的基体；设置在所述凹部内、发射光的发光元件；设置在所述基体上并覆盖所述凹部的侧面、抑制由所述发光元件发射的所述光向所述凹部的侧面入射的抑制构件；和设置在所述凹部内、 密封所述发光元件的透光性构件。

【技术特征摘要】
JP 2006-9-22 2006-2577401.一种光半导体器件，其特征在于，包括具有凹部的基体；设置在所述凹部内、发射光的发光元件；设置在所述基体上并覆盖所述凹部的侧面、抑制由所述发光元件发射的所述光向所述凹部的侧面入射的抑制构件；和设置在所述凹部内、密封所述发光元件的透光性构件。2. 根据权利要求l所述的光半导体器件，其特征在于 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：富冈泰造，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]