光半导体器件和光半导体器件的制造方法技术

在光半导体器件（１Ａ）中，包括：具有凹部（２ａ）的基体（２）；设置在凹部（２ａ）内、发射光的发光元件（３）；设置在基体（２）内并覆盖凹部２ａ的侧面、抑制由发光元件３发射的光向凹部２ａ的侧面入射的抑制构件４；设置在凹部２ａ内、密封发光元件３的透光性构件５。本发明专利技术提供能在抑制成本的同时，防止基体的光恶化引起的亮度下降的光半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有发光元件的光半导体器件以及该光半导体器件 的制造方法。
技术介绍
光半导体器件作为照明或显示装置等各种装置的光源在广泛的领域中使用。作为该光半导体器件，提出把由发光元件发射的光、和 由该光激励的荧光体所发射的光合在一起，以取得白色光的光半导体 器件(例如，参照专利文献l)。该光半导体器件具有发光二极管(LED)等发光元件、以及容纳 该发光元件的具有杯状的凹部的基体。在该凹部设置密封发光元件的 透光性构件。须指出的是，基体由模塑树脂模塑成形。此外，透光性 构件由混合有粒子状的荧光体的透光性树脂材料形成。在这样的光半导体器件中，从发光元件发射的光的一部分通过透 光性构件出射，另一部分由凹部的侧面(侧壁)反射并出射。这时， 向凹部的侧面入射的光由基体反射或者吸收。须指出的是，光的反射 率依存于入射的光的波长， 一般波长短者反射率降低。这里，为了提高反射率，在基体的模塑树脂中混入Ti02等反射 填料。这时的紫外区域的反射率是10%以下。因此，为了使紫外区域 的反射率也提高，提出只对基体的树脂的局部、即凹部的侧面镀银的 光半导体器件。此外，为了防止基体的光恶化，作为基体，使用几乎不产生光恶化的陶瓷衬底。这时，考虑发光元件的散热，作为陶瓷衬 底，使用氮化铝的衬底。[专利文献1日本专利公开特开2005_311136号公报
技术实现思路
可是，对基体的树脂局部镀银需要掩模等复杂的制造步骤，使成 本上升。另外，因为陶瓷衬底价格高，所以使用氮化铝等的陶瓷衬底 使成本上升。此外，今后，如果发光元件的光能随发光元件的发光效率的提高 或驱动电流的增加而增加，则基体的光恶化就加速。伴随着这种基体 的光恶化，光反射率越来越低，所以取出的光量减少，亮度下降。本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于，提供能在抑制成 本的同时，防止基体的光恶化引起的亮度下降的光半导体器件和光半 导体器件的制造方法。本专利技术的实施方式的第一特征在于，在光半导体器件中，包括 具有凹部的基体；设置在凹部内、发射光的发光元件；设置在基体中 并覆盖凹部的侧面、抑制由发光元件发射的光向凹部的侧面入射的抑 制构件；设置在凹部内、密封发光元件的透光性构件。本专利技术的实施方式的第二特征在于，在光半导体器件的制造方法 中，包括形成抑制光向具有凹部的基体的所述凹部的侧面入射的抑 制构件的步骤；以覆盖凹部的侧面的方式把形成的抑制构件定位、并 形成基体的步骤；在形成的基体的凹部内设置发射光的发光元件的步 骤；由透光性构件密封设置有发光元件的凹部内的步骤。根据本专利技术，能在抑制成本的同时，防止基体的光恶化引起的亮 度的下降。附图说明图l是表示本专利技术第1实施方式的光半导体器件的概略结构的立体图。图2是图1的S1-S1线剖视图。图3是表示图l和图2所示的光半导体器件所具有的抑制构件的 概略结构的立体图。图4是表示图1和图2所示的光半导体器件所具有的一对引线部的概略结构的立体图。图5是说明图l和图2所示的光半导体器件的制造方法的第一步 骤剖视图。图6是第二步骤剖视图。 图7是第三步骤剖视图。图8是表示本专利技术第2实施方式的光半导体器件的概略结构的立体图。具体实施方式参照图1 图7，说明本专利技术的第1实施方式。如图1和图2所示，本专利技术的第1实施方式的光半导体器件1A 包括具有凹部2a的基体2;设置在凹部2a内、并发射光的发光元 件3;设置在基体2上并覆盖凹部2a的侧面(侧壁)、并抑制由发光 元件3发射的光向凹部2a的侧面入射的抑制构件4;设置在凹部2a 内、并密封发光元件3的透光性构件5;分别与发光元件3连接、并 从凹部2a的底面延伸到外部的一对引线部6、 7。基体2具有大致定位设置在其中央的凹部2a。该凹部2a例如形 成为杯状，即倒圆锥台形状，是在其内部容纳发光元件3的容纳部。 该凹部2a的侧面从凹部2a的底面向外部扩展地倾斜。这样的基体2 例如由白色的模塑树脂形成。作为模塑树脂，例如使用聚酰胺系树脂 等热可塑性树脂。发光元件3定位在凹部2a的底面的大致中央，搭栽在引线部6 上。发光元件3的底面电极(图2中的下表面)通过银骨等接合构件 (未图示)与引线部6接合并电连接。此外，发光元件3的表面电极 (图2中的上面)例如通过金线等的连接构件8与引线部7电连接。 须指出的是，作为发光元件3，使用发光二极管(LED)等。抑制构件4由覆盖凹部2a的侧面并且反射由发光元件3出射的 光的反射构件4a、和固定在该反射构件4a上并且具有绝缘性的绝缘 构件4b构成。反射构件4a如图3所示，例如形成为漏斗形状。该反射构件4a 具有以倒圆锥台形状形成为圆筒状的圆筒部Bl、从该圆筒部Bl延伸 的边缘部B2、和从该边缘部B2向外部分别水平延伸的一对延伸部 B3。这里，通过在反射构件4a上形成一对延伸部B3，在基体2上设 置抑制构件4的情况下，可以把一对延伸部B3掩埋在基体2中来设 置抑制构件4，所以能提高抑制构件4和基体2的结合力。这样的反射构件4a例如由铜等金属材料形成。另外，例如，通 过沖裁加工金属板构件，形成反射构件4a。例如，在该反射构件4a 的表面进行镀银。须指出的是，银对于波长为350nm的光的反射率远 高于白色的模塑树脂，约为80%。绝缘构件4b设置在反射构件4a上，从而在抑制构件4设置在基 体2中的状态下，防止抑制构件4的反射构件4a和一对引线部6、 7 接触(参见图2 )。据此，能防止抑制构件4的反射构件4a和一对引 线部6、 7接触，所以能防止在对发光元件3施加电压时，电流流过 反射构件4a。这样的绝缘构件4b例如由白色的模塑树脂形成。作为模塑树脂， 例如使用热可塑性树脂。须指出的是，绝缘构件4b和基体2可以由 同一材料形成，也可以由其他材料形成。透光性构件5是设置在凹部2a内并密封发光元件3的构件。该 透光性构件5具有用于出射从发光元件3发射的光的出射面5a(参照 图2)。该出射面5a是与外部气氛接触的露出面，作为出射从发光元 件3发射的光的光取出面而工作。这样的透光性构件5例如由混合了粒子状的荧光体的荧光体混 合树脂等透光性树脂材料形成。作为透光性树脂材料，例如使用硅树 脂等。这里，荧光体是把从发光元件3发射的光的波长进行变换的物 质，例如出射具有比发光元件3的光波长还长的波长的光。作为该荧 光体，例如在使用发射蓝色光的发光元件3时，使用出射黄色光的荧 光体，或者使用出射黄色光的荧光体和出射红色光的荧光体的双方。一对引线部6、 7是用于从外部对发光元件3供给电力的引线框。有安放发光元件3的平面部6a、和与该平面 部6a连通并且弯曲为人字形状的弯曲部6b。此外，引线部7具有接 合从发光元件3延伸的连接构件8的平面部7a、和与该平面部7a连 通并且弯曲为山形状的弯曲部7b。这样的一对引线部6、 7分别从凹部2a的底面引出到外部。这些 引线部6、 7例如由铜等金属材料形成。另外，在一对引线部6、 7的 表面例如进行了镀银。这里，在使用金属模具来模塑成形基体2的情况下，用于形成基 体2的模塑树脂流入安放引线部6、7的金属模具的平面和各引线部6、 7的弯曲部6b、 7b之间的空间。据此，各弯曲部6b、 7b由基体2包 围，所以能提高各引线部6、 7和基体2的结合力。下面，说明这样的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光半导体器件，其特征在于，包括：具有凹部的基体；设置在所述凹部内、发射光的发光元件；设置在所述基体上并覆盖所述凹部的侧面、抑制由所述发光元件发射的所述光向所述凹部的侧面入射的抑制构件；和设置在所述凹部内、 密封所述发光元件的透光性构件。

【技术特征摘要】
JP 2006-9-22 2006-2577401.一种光半导体器件，其特征在于，包括具有凹部的基体；设置在所述凹部内、发射光的发光元件；设置在所述基体上并覆盖所述凹部的侧面、抑制由所述发光元件发射的所述光向所述凹部的侧面入射的抑制构件；和设置在所述凹部内、密封所述发光元件的透光性构件。2. 根据权利要求l所述的光半导体器件，其特征在于 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：富冈泰造，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]