【技术实现步骤摘要】
本专利技术是涉及使用半导体的发光元件，特别涉及使用含氮的化合物半导体 的氮化物半导体的元件，涉及氮化物半导体的发光元件是使用GaN、 A1N、 InN 或它们的混晶的第III-V主族氮化物半导体(InbAlcGal-b-cN， 0《b, 0《d， b +d<l。)的发光元件，用于发光装置、投光器、集合灯、照明灯、光结合装 置、光检测装置、光通信装置、光纤组件的光源等的发光元件及该发光元件的 制造方法。
技术介绍
近年来，使用GaN系半导体化合物的发光二极管，已经广泛应用于紫外 区域、蓝色光等较短波长区域为中心的区域。由于该GaN系化合物半导体是 直接迁移且发光效率高，所以其适用范围得到扩大。对于这样的发光元件，提出了种种元件结构，特别是半导体叠层体的形状、 电极结构、配置。
技术实现思路
(第一专利技术)本专利技术是提供在具有半导体叠层体的发光元件中，该叠层体、叠层部的形 状使发光元件的发光效率，特别是光排出效率、放热特性优异，在高输出条件 下高可靠性的发光元件。作为具体的结构，半导体层的结构，例如在发光元件 中包含具有由第一导电型层与第二导电型层夹持的发光层...
【技术保护点】
一种氮化物半导体发光元件，其是在ｎ型氮化物半导体层与ｐ型氮化物半导体层之间具有由氮化物半导体构成的发光层而构成的，其特征在于：形成包含上述ｐ型氮化物半导体层、上述发光层和上述ｎ型氮化物半导体层的台锥形状的叠层体，在该叠层体的 相互对向的底面和比该底面小的上底面上分别设置有电极，该层叠体的侧面由绝缘部件覆盖，光由该侧面反射而从上述底面侧射出。
【技术特征摘要】
JP 2002-8-1 2002-225043;JP 2002-9-2 2002-2568841.一种氮化物半导体发光元件，其是在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有由氮化物半导体构成的发光层而构成的，其特征在于形成包含上述p型氮化物半导体层、上述发光层和上述n型氮化物半导体层的台锥形状的叠层体，在该叠层体的相互对向的底面和比该底面小的上底面上分别设置有电极，该层叠体的侧面由绝缘部件覆盖，光由该侧面反射而从上述底面侧射出。2. 根据权利要求1所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于上述叠层体的侧面和上底面由金属部件覆盖并被埋起来。3. —种氮化物半导体发光元件，其是在n型氮化物半导体层与p型氮化物半导体层之间具有由氮化物半导体构成的发光层而构成的，其特征在于形成包含上述p型氮化物半导体层、上述发光层和上述n型氮化物半导体 层的台锥形状的叠层体，该叠层体由沿该叠层体的表面并隔着绝缘部件而对向设置的金属部件所 支承，并且该金属部件的侧面形成该发光元件的侧面，该层叠体的侧面以与该发光元件的侧面分离的方式设置。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在 于上述叠层体具有倾斜的侧面，该倾斜的侧面由上述绝缘部件的绝缘膜覆盖并具有光反射功能。5. 根据权利要求4所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于上述绝缘膜是无机绝缘膜或者有机绝缘膜。6. 根据权利要求4所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于具有上述光反射功能的反射层是覆盖上述倾斜的侧面的上述绝缘部件的绝缘膜、或者 该绝缘膜上的第一金属膜。7. 根据权利要求1 3中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在 于在位于上述n型氮化物半导体层的对向的两个面中的上述叠层体相反侧的面上形成有与上述多个叠层体对应的共通的透明电极。8. 根据权利要求1 3中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于在上述透明电极上，上述叠层体以相互分离的方式配置有多个。9. 根据权利要求8所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于具有将 上述叠层体之间相互连接起来的配线电极。10. 根据权利要求1 3中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征 在于上述氮化物半导体发光元件具有一个上述叠层体，其侧面从该叠层体的 侧面分离而设置。11. 根据权利要求10所述的氮化物半导体发光元件，其特征在于上述 氮化物半导体发光元件通过将n型氮化物半导体层分离的部分分割而形成。12. 根据权利要求1 3中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征 在于:上述叠层体，在上述金属部件侧的上底面的上述p型氮化物半导体层上， 具有在上述叠层体与上述金属部件之间形成的p型电极。13. 根据权利要求1 3中任一项所述的氮化物半导体发光元件，其特征 在于上述金属部件是由...
【专利技术属性】
技术研发人员：楠濑健，坂本贵彦，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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