发光元件及其制造方法技术

技术编号:3178187 阅读:148 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术揭露一种适用于倒装芯片接合的发光元件及其制造方法,该发光元件包括具有多个微凸块的电极,用以直接接合于一基座上。该发光元件可与该基座形成一短距离接合,以提高发光元件的散热效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光元件,特别是涉及一种具有微凸块电极的发光元件。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode; LED)在高功率照明的运用上,除了须 持续提升亮度外,散热问题是另一亟需解决的主要问题。当发光二极管光取 出效率不佳时,无法穿出发光装置(发光二极管及其封装体)的光线会转换为 热能。若无法有效将此热能导出发光装置,发光二极管在操作时温度会上升, 因而造成元件可靠性问题。先前技艺为解决元件散热问题,提出许多方法。 例如在以蓝宝石基板成长氮化镓系列的发光元件中,利用二次转移方式以激 光光照射或以化学蚀刻方式移除导热性较差的蓝宝石基板,再结合一导热性 较佳的硅基板,以改善晶粒本身的散热效果。另一改善方式为以倒装芯片接 合(flip-chipbonding)取代传统的导线接合(wirebonding)。图1揭露一种现有 的倒装芯片接合发光装置,包括一发光二极管10及一基座单元(submount unit)20,金球凸块24形成于第一接合垫22及第二接合垫23上,用以在一 接合制程中将发光二极管10与基座单元20结合。金球凸块24以植金球(Gold stud本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件,包括:    透明基板;    第一导电类型半导层形成于该透明基板上;    活性层形成于该第一导电类型半导层上;    第二导电类型半导层形成于该活性层上;    接触层形成于该第二导电类型半导层上,并与该第二导电类型半导层形成欧姆接触;以及    电极具有多个微凸块,形成于该接触层上,用以于该发光元件经由该多个微凸块接合于基座上时,该多个微凸块提供多个电流通道。

【技术特征摘要】
1.一种发光元件,包括透明基板;第一导电类型半导层形成于该透明基板上;活性层形成于该第一导电类型半导层上;第二导电类型半导层形成于该活性层上;接触层形成于该第二导电类型半导层上,并与该第二导电类型半导层形成欧姆接触;以及电极具有多个微凸块,形成于该接触层上,用以于该发光元件经由该多个微凸块接合于基座上时,该多个微凸块提供多个电流通道。2. 如权利要求l所述的发光元件,其中该多个微凸块的厚度介于0.3 20微米。3. 如权利要求l所述的发光元件,其中该多个微凸块的形状包括圓形、 长条形、多边形、或其组合。4. 如权利要求l所述的发光元件还包括基座,且该电极的该多个微凸 块以热音波接合方式接合于该基座上。5. —种发光元件,包括 发光二极管包括至少一电极; 基座包括至少一接合垫;以及多个微凸块介于该电极及该接合垫之间,用以于该发光二极管经由该多 个微凸块接合于该基座上时,该多个微凸块提供多个电流通道。6. 如权利要求5所述的发光元件,其中该多个微凸块为一体成形于该 电极或该接合垫上。7. 如权利要求5所述的发光元件,其中该多个微凸块的厚度介于0.3 20微米。8. 如权利要求5所述的发光元件,其中该多个微凸块的形状包括圓形、 长条形、多边形、或其组合。9. 如权利要求5所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢育仁范轩诚许政义黄崇桂林锦源
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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