【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光元件,特别是涉及一种具有微凸块电极的发光元件。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode; LED)在高功率照明的运用上,除了须 持续提升亮度外,散热问题是另一亟需解决的主要问题。当发光二极管光取 出效率不佳时,无法穿出发光装置(发光二极管及其封装体)的光线会转换为 热能。若无法有效将此热能导出发光装置,发光二极管在操作时温度会上升, 因而造成元件可靠性问题。先前技艺为解决元件散热问题,提出许多方法。 例如在以蓝宝石基板成长氮化镓系列的发光元件中,利用二次转移方式以激 光光照射或以化学蚀刻方式移除导热性较差的蓝宝石基板,再结合一导热性 较佳的硅基板,以改善晶粒本身的散热效果。另一改善方式为以倒装芯片接 合(flip-chipbonding)取代传统的导线接合(wirebonding)。图1揭露一种现有 的倒装芯片接合发光装置,包括一发光二极管10及一基座单元(submount unit)20,金球凸块24形成于第一接合垫22及第二接合垫23上,用以在一 接合制程中将发光二极管10与基座单元20结合。金球凸块24以植金球 ...
【技术保护点】
一种发光元件,包括: 透明基板; 第一导电类型半导层形成于该透明基板上; 活性层形成于该第一导电类型半导层上; 第二导电类型半导层形成于该活性层上; 接触层形成于该第二导电类型半导层上,并与该第二导电类型半导层形成欧姆接触;以及 电极具有多个微凸块,形成于该接触层上,用以于该发光元件经由该多个微凸块接合于基座上时,该多个微凸块提供多个电流通道。
【技术特征摘要】
1.一种发光元件,包括透明基板;第一导电类型半导层形成于该透明基板上;活性层形成于该第一导电类型半导层上;第二导电类型半导层形成于该活性层上;接触层形成于该第二导电类型半导层上,并与该第二导电类型半导层形成欧姆接触;以及电极具有多个微凸块,形成于该接触层上,用以于该发光元件经由该多个微凸块接合于基座上时,该多个微凸块提供多个电流通道。2. 如权利要求l所述的发光元件,其中该多个微凸块的厚度介于0.3 20微米。3. 如权利要求l所述的发光元件,其中该多个微凸块的形状包括圓形、 长条形、多边形、或其组合。4. 如权利要求l所述的发光元件还包括基座,且该电极的该多个微凸 块以热音波接合方式接合于该基座上。5. —种发光元件,包括 发光二极管包括至少一电极; 基座包括至少一接合垫;以及多个微凸块介于该电极及该接合垫之间,用以于该发光二极管经由该多 个微凸块接合于该基座上时,该多个微凸块提供多个电流通道。6. 如权利要求5所述的发光元件,其中该多个微凸块为一体成形于该 电极或该接合垫上。7. 如权利要求5所述的发光元件,其中该多个微凸块的厚度介于0.3 20微米。8. 如权利要求5所述的发光元件,其中该多个微凸块的形状包括圓形、 长条形、多边形、或其组合。9. 如权利要求5所述的发光...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢育仁,范轩诚,许政义,黄崇桂,林锦源,
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。